[实用新型]晶体硅太阳电池的背面梁桥式接触电极有效
申请号: | 201320593624.X | 申请日: | 2013-09-25 |
公开(公告)号: | CN203521433U | 公开(公告)日: | 2014-04-02 |
发明(设计)人: | 陈奕峰;皮埃尔·J·威灵顿;冯志强;沈辉;皮亚同·皮·阿特玛特 | 申请(专利权)人: | 常州天合光能有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224 |
代理公司: | 常州市科谊专利代理事务所 32225 | 代理人: | 孙彬 |
地址: | 213022 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶体 太阳电池 背面 梁桥式 接触 电极 | ||
1. 一种晶体硅太阳电池的背面梁桥式接触电极,包括与局域背表面场(5)连接的局域电极(3)以及在与硅片衬底(6)的接触表面上覆盖有背面钝化膜(2)的背面电极(1),其特征在于:在局域电极(3)与背面电极(1)之间设有至少一个梁桥电极(4),梁桥电极(4)与硅片衬底(6)的接触表面上也覆盖有背面钝化膜(2),局域电极(3)与背面电极(1)通过梁桥电极(4)连接,并且在局域电极(3)与背面电极(1)之间除梁桥电极(4)的连接区域外也设置有背面钝化膜(2)。
2.根据权利要求1所述的晶体硅太阳电池的背面梁桥式接触电极,其特征在于:所述的梁桥电极(4)的宽度为0.1-50000 μm,长度为0.1-1000 μm。
3.根据权利要求1所述的晶体硅太阳电池的背面梁桥式接触电极,其特征在于:所述的背面钝化膜(2)的材料选自氧化铝、氧化硅、氮化硅、氧化钛中的一种。
4.根据权利要求1所述的晶体硅太阳电池的背面梁桥式接触电极,其特征在于:所述的局域电极(3)的横截面为线状或点状,点状包括圆形或平行四边形或正多边形。
5.根据权利要求4所述的晶体硅太阳电池的背面梁桥式接触电极,其特征在于:当所述的局域电极(3)的横截面为线状时,局域电极(3)的宽度为1μm以上,局域电极(3)中心之间的间距为100μm以上。
6.根据权利要求4所述的晶体硅太阳电池的背面梁桥式接触电极,其特征在于:当所述的局域电极(3)的横截面为点状时,局域电极(3)的尺寸在1μm以上,局域电极(3)中心之间的间距为50μm以上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的