[实用新型]晶体硅太阳电池的背面梁桥式接触电极有效

专利信息
申请号: 201320593624.X 申请日: 2013-09-25
公开(公告)号: CN203521433U 公开(公告)日: 2014-04-02
发明(设计)人: 陈奕峰;皮埃尔·J·威灵顿;冯志强;沈辉;皮亚同·皮·阿特玛特 申请(专利权)人: 常州天合光能有限公司
主分类号: H01L31/0224 分类号: H01L31/0224
代理公司: 常州市科谊专利代理事务所 32225 代理人: 孙彬
地址: 213022 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 晶体 太阳电池 背面 梁桥式 接触 电极
【权利要求书】:

1. 一种晶体硅太阳电池的背面梁桥式接触电极,包括与局域背表面场(5)连接的局域电极(3)以及在与硅片衬底(6)的接触表面上覆盖有背面钝化膜(2)的背面电极(1),其特征在于:在局域电极(3)与背面电极(1)之间设有至少一个梁桥电极(4),梁桥电极(4)与硅片衬底(6)的接触表面上也覆盖有背面钝化膜(2),局域电极(3)与背面电极(1)通过梁桥电极(4)连接,并且在局域电极(3)与背面电极(1)之间除梁桥电极(4)的连接区域外也设置有背面钝化膜(2)。

2.根据权利要求1所述的晶体硅太阳电池的背面梁桥式接触电极,其特征在于:所述的梁桥电极(4)的宽度为0.1-50000 μm,长度为0.1-1000 μm。

3.根据权利要求1所述的晶体硅太阳电池的背面梁桥式接触电极,其特征在于:所述的背面钝化膜(2)的材料选自氧化铝、氧化硅、氮化硅、氧化钛中的一种。

4.根据权利要求1所述的晶体硅太阳电池的背面梁桥式接触电极,其特征在于:所述的局域电极(3)的横截面为线状或点状,点状包括圆形或平行四边形或正多边形。

5.根据权利要求4所述的晶体硅太阳电池的背面梁桥式接触电极,其特征在于:当所述的局域电极(3)的横截面为线状时,局域电极(3)的宽度为1μm以上,局域电极(3)中心之间的间距为100μm以上。

6.根据权利要求4所述的晶体硅太阳电池的背面梁桥式接触电极,其特征在于:当所述的局域电极(3)的横截面为点状时,局域电极(3)的尺寸在1μm以上,局域电极(3)中心之间的间距为50μm以上。

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