[实用新型]基于受激布里渊散射的全光纤化调Q光纤激光器有效
申请号: | 201320598894.X | 申请日: | 2013-09-27 |
公开(公告)号: | CN203466418U | 公开(公告)日: | 2014-03-05 |
发明(设计)人: | 黄伟;李丰;张巍巍;谈根林 | 申请(专利权)人: | 江苏天元激光科技有限公司;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
主分类号: | H01S3/067 | 分类号: | H01S3/067;H01S3/117;H01S3/16 |
代理公司: | 常州市科谊专利代理事务所 32225 | 代理人: | 孙彬 |
地址: | 212300 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 布里渊散射 光纤 激光器 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种基于受激布里渊散射的全光纤化调Q光纤激光器,属于激光技术领域。
背景技术
目前,包层抽运技术是在20世纪80年代后期出现的,这一技术的出现使光纤激光器的功率水平有了巨大的提高,目前连续激光功率最高已达10 kW( IPG 公司)。采用包层抽运技术构成的光纤激光器,其结构紧凑、效率高、可广泛应用于医学、激光测距、遥感技术、工业加工和参量振荡等,特别是要求使用高功率光源的众多领域。所以光纤激光器在最近几年倍受青睐。
对于许多应用来说,需要有高峰值功率的脉冲光源,Q 开关技术是获得高峰值功率的有效方法。通常的调Q 激光器,光脉冲宽度与腔长成正比,要获得较短脉冲,需要减少光纤长度, 这势必降低了腔内能量的储存;增加稀土离子的掺杂浓度,原则上可以增大脉冲峰值功率,但是这受到粒子猝灭的限制。
调Q技术分为主动调Q和被动调Q方式,前者是通过外加一些器件,通过器件的开关两种状态来改变激光器的Q值达到输出脉冲光束的目的;后者是通过储能的方式来改变激光器的Q值达到输出脉冲光束的目的,和主动调Q技术相比,被动调Q不需要外加器件,所以其成本较低,结构简单,体积较小,易于设计和生产。
光纤中的受激布里渊散射(SBS) 可使光纤激光器实现自调Q运转,也即被动调Q方式,这种自调Q 产生的激光脉冲宽度与腔内光子寿命无关, 而是依赖于SBS 的动态特征。与常规的调Q 光纤激光器相比, 基于SBS 过程的自调Q 光纤激光器可将峰值功率提高一个量级。然而, 自调Q 也存在在一些缺陷,例如运转稳定性欠佳。
发明内容
本实用新型所要解决的技术问题是克服现有技术的缺陷,提供一种基于受激布里渊散射的全光纤化调Q光纤激光器,它具有被动调Q功能,而且自调Q稳定性好,提高了脉冲峰值功率及减小了脉冲宽度。
本实用新型解决上述技术问题采取的技术方案是:一种基于受激布里渊散射的全光纤化调Q光纤激光器,它包括低反射率光纤光栅、激光合束器、掺镱双包层有源光纤、掺Sm3+单模光纤、高反射率光纤光栅和多个泵浦源,并且掺Sm3+单模光纤的芯径比掺镱双包层有源光纤的芯径小;激光合束器具有第一合束连接端、第二合束连接端和泵浦输入端,第一合束连接端与低反射率光纤光栅相连接,泵浦输入端分别与多个泵浦源的输入端相连接,第二合束连接端与掺镱双包层有源光纤的一端相连接,掺镱双包层有源光纤的另一端与掺Sm3+单模光纤的一端相熔接,掺Sm3+单模光纤的另一端与高反射率光纤光栅相连接,所述的高反射率光纤光栅、掺Sm3+单模光纤以及掺镱双包层有源光纤和掺Sm3+单模光纤的熔接处构成一调Q谐振腔;所述的低反射率光纤光栅、掺镱双包层有源光纤和掺镱双包层有源光纤和掺Sm3+单模光纤的熔接处构成一放大谐振腔。
进一步,所述的掺镱双包层有源光纤和掺Sm3+单模光纤的熔接处外套有熔接头。
采用了上述技术方案后,本实用新型使用了被动调Q机制,不需要外加调Q装置,没有复杂的电路调制部分,既节约了生产成本,又简化了结构。此被动调Q方式可利用1064纳米的泵浦光形成的超声衍射光栅,此超声衍射光栅比声光调Q开关的超声光栅频率高一个数量级,提高了脉冲峰值功率及减小了脉冲宽度,再加上可饱和吸收体(掺Sm3+单模光纤)的调Q机制,所以性能更加优越和稳定。因为采用了全光纤化的结构,没有引入任何块状器件,所以能够充分体现第三代激光器免维护的优势,使其性能更加稳定,结构更加紧凑;另外,由于SBS调Q受多种因素影响,频率抖动比较大,所以本实用新型中应用了掺Sm3+单模光纤,因为掺Sm3+单模光纤可以作为一种可饱和吸收体,当SBS的泵浦光(1064纳米)较弱时,可饱和吸收体透过率很小,损耗较大,不能形成1064纳米的激光,但是当粒子数反转到达到某一阈值时,可饱和吸收体的透过率突然增大,形成1064纳米的激光作为泵浦光,从而激发了掺Sm3+单模光纤的反向SBS激光,这就稳定了SBS激光的频率。
附图说明
图1为本实用新型的基于受激布里渊散射的全光纤化调Q光纤激光器的结构示意图;
图2为本实用新型的形成超声衍射光栅的掺Sm3+单模光纤的的内部状态图。
具体实施方式
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏天元激光科技有限公司;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,未经江苏天元激光科技有限公司;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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