[实用新型]发光二极管有效
| 申请号： | 201320603368.8 | 申请日： | 2013-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN203521468U | 公开（公告）日： | 2014-04-02 |
| 发明（设计）人： | 何启民 | 申请（专利权）人： | 展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/50 | 分类号： | H01L33/50 |
| 代理公司： | 深圳市鼎言知识产权代理有限公司 44311 | 代理人： | 叶小勤 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 | ||
【权利要求书】：
1.一种发光二极管，包括一具有电路结构和反射杯的基板、发光二极管芯片和封装材料，发光二极管芯片设置于基板的反射杯的底部且与基板的电路结构电连接，封装材料设置在所述基板的反射杯内并包覆发光二极管芯片，其特征在于：所述发光二极管芯片为一紫外光发光二极管芯片，所述发光二极管还包括一设置于封装材料之上的量子点薄膜，所述量子点薄膜包含两个透明片材，以及设置在两个透明片材之间的第一型量子点、第二型量子点和第三型量子点中的一种或多种的组合，所述第一型量子点受到紫外光激发时发出红光，所述第二型量子点受到紫外光激发时发出绿光，所述第三型量子点受到紫外光激发时发出蓝光。
2.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述封装材料中不包含荧光粉或量子点。
3.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述量子点的平均粒径小于15nm。
4.如权利要求3所述的发光二极管，其特征在于：所述第一型量子点为平均粒径为9-11nm的CdSe量子点。
5.如权利要求3所述的发光二极管，其特征在于：所述第二型量子点为平均粒径为4-6nm的CdSe量子点。
6.如权利要求3所述的发光二极管，其特征在于：所述第三型量子点为平均粒径为1-3nm的CdSe量子点。
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