[实用新型]遗址区种植层结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及遗址保护，尤其涉及一种遗址区种植层结构。

背景技术

随着大遗址展示和阐释方式的研究和进展，植物标识成为遗址展示的一种方式。但用植物来标识遗址也存在一些问题，如，植物不断生长的根系对遗址本体产生物理性破坏，虽然一般选用浅根性树种作为标识的植物来防止植物根系对遗址本体的破坏，但是植物的根系是不断生长的，特别是对于埋深较浅的遗址，即使浅根性植物的根系也会对遗址本体造成破坏，此外，植物生长时根系会分泌酸性物质，此类物质会对遗址本体产生化学方面的破坏。

目前，在遗址区防止植物根系对遗址本体造成破坏的方法有：仅采用物理方法阻止根系的生长，如：将植物种植于木桶中，利用木桶桶壁来阻隔植物根系对遗址本体的破坏；此外，选用浅根性植物种植于遗址区，利用植物本身的生长特性来防止植物根系对遗址的破坏。然而，仅采用物理方法阻挠根系生长，在短期内能有效防止植物根系对遗址本体的破坏，而从长远来计，会由于隔离材料的损坏、植物根系的向地性生长惯性，仍不能避免植物继续生长，甚至生长至遗址本体，而造成对遗址本体的破坏；浅根性植物是指根系分布较浅也能正常生长的植物，但是在水肥条件允许的情况下，其根系仍能继续向下生长，从而破坏遗址本体。

由于上述问题的存在，本发明人对现有的遗址区植物种植技术进行研究和改进，以期开发出一种既可保护遗址区遗址本体免受物理化学破坏又可清晰标识遗址区的种植层结构。

实用新型内容

为解决上述问题，本发明人经锐意研究，结果发现：植物的根系都有相同的生长特性——向水性、向肥性及向下性，而且植物根系的生长能力极强，生长的深度也超乎人们的想象，通过利用滴灌系统施加水分和肥料诱导植物根系向滴灌系统侧向生长，利用碱式碳酸铜对植物根系生长的阻拦作用抑制根系向下生长，再通过适当的隔离材料如防渗膜对植物根系进行物理拦截，由此通过水肥控制和化学控制诱导植物根系侧向生长，并通过隔离材料的生物阻拦及机械阻拦完成对植物根系的阻拦，使得植物根系无法穿透隔离材料，从而使得遗址本体免受由于植物根系向下生长所造成的破坏，而且，由于隔离材料采用了防渗性优异的高密度聚乙烯膜，防止遗址本体由于水分、植物在生长时分泌的酸性物质等渗透而导致的化学损害，由此完成本实用新型。

本实用新型的目的在于提供以下方面：

第一方面，本实用新型提供遗址区种植层结构，其特征在于，所述遗址区种植层结构包括在遗址本体(1)上依次设置的土壤垫层(2)、高密度聚乙烯防渗膜层(3)、碱式碳酸铜层(4)和植物根系生长层(5)，

其中，在碱式碳酸铜层上用土壤铺设植物根系生长层，植物根系扎根于植物根系生长层中，

在植物根系生长层上或者在植物根系生长层中设置滴灌系统(6)，滴灌系统管道上的灌罐口以在水平平面内的设定距离设置于植物根系侧方或周围。

第二方面，本实用新型提供上述遗址区种植层结构，其中，所述土壤垫层的压实度不小于90％，形成土壤垫层所使用的土壤中除去包括树根、瓦砾、石子、混凝土颗粒、钢筋头和玻璃屑等会损害防渗膜的物质，其中，土壤垫层厚度为遗址本体上沙石颗粒厚度的1.5～2倍，其中，所述的沙石颗粒为遗址本体表面的固体石块。

第三方面，本实用新型提供上述遗址区种植层结构，其中，所述高密度聚乙烯膜厚度为1.5～3mm；所述碱式碳酸铜为含有结晶水的碱式碳酸铜或不含结晶水的碱式碳酸铜，所述碱式碳酸铜层厚度为3～5mm。

第四方面，本实用新型提供上述遗址区种植层结构，其中，所述滴灌系统包括地表滴灌系统和地下滴灌系统，地表滴灌系统设置于植物根系生长层上，地下滴灌系统设置于植物根系生长层中。

根据本实用新型提供的遗址区种植层结构，具有如下有益效果：

(1)在水肥诱导，碱式碳酸铜化学阻拦，高密度聚乙烯膜机械阻拦的共同作用下，植物根系均匀分布于浅土层，避免了植物因根系不能舒展而导致植物生长状况不好的后果，同时也避免了植物根系的向下生长对遗址本体造成的破坏。

(2)碱式碳酸铜对植物根系向下生长阻拦作用显著，可有效地阻止植物根系的向下生长，并促进侧根发育，其浓度对植物根系阻拦作用及对植物地上部分生长质量的影响无显著性差异，因此碱式碳酸铜的使用量无严格要求，操作简便，施工难度低。

(3)高密度聚乙烯防渗膜由于其高密度可有效阻拦植物根系向下生长，同时利用其高效的防渗功能，可有效阻止滴灌系统所施水肥向遗址本体的渗透，从而保护遗址本体不受潮湿破坏或化学腐蚀。