[实用新型]防止反向电流传输的上拉电阻电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及输入输出电路，尤其涉及一种防止反向电流传输的上拉电阻电路。 

背景技术

随着电子信息产业的迅猛发展，芯片之间通常通过输入输出（Input/Output，简称：IO）接口相连接，进而传输信息。当存在多个IO接口相连时，由于每个IO接口的上电时序不同，部分IO接口的电源无电，而部分IO接口的电源有电，当有电的IO接口存在上拉电阻时，则将会导致有电的IO接口向无电的IO接口漏电。 

如图1所示，现有技术中设备的接口电路，该接口电路通过电阻R0将IO接口的电压上拉至电源VCC0，当IO接口被连接到另一有电的IO接口时，且此时VCC0无电，则将产生IO接口通过电阻R0向VCC0漏电，即存在反向电流的传输，当多个IO接口同时传输反向电流时，反向电流过大，严重时可将IO接口的电压拉低，甚至产生IO接口的功能错误。 

实用新型内容

本实用新型提供了一种防止反向电流传输的上拉电阻电路，实现了当与输出输入接口连接的电源无电时，防止输入输出接口向其连接的电源进行反向电流的传输，避免输入输出接口的功能错误，并且本实用新型提供的防止反向电流传输的上拉电阻电流结构简单，节约成本。 

在第一方面，本实用新型实施例提供了一种防止反向电流传输的上拉电 阻电路，所述上拉电阻电路包括：输入输出端口、开关电路、第一P型场效应晶体管、第一N型场效应晶体管和电源； 

所述开关电路串联连接于所述输入输出端口与所述电源之间； 

所述第一N型场效应型晶体管与所述第一P场效应型晶体管共栅连接于所述电源； 

所述第一N型场效应晶体管的漏极与所述第一P型场效应晶体管的漏极连接，并与所述开关电路的控制端连接； 

当所述电源无电，且所述输入输出端口有电时，所述第一N型场效应晶体管关断，所述第一P型场效应晶体管导通，所述第一P型场效应晶体管的漏极电压控制所述开关电路断开所述电源与所述输入输出端口的连接。 

优选地，当所述电源有电，且所述输入输出端口无电时，所述第一N型场效应晶体管导通，所述第一P型场效应晶体管关断，所述第一P型场效应晶体管的漏极电压控制所述开关电路闭合所述电源与所述输入输出端口的连接。 

优选地，所述开关电路包括第二P型场效应晶体管和第三P型场效应晶体管； 

所述第二P型场效应晶体管与所述第三P型场效应晶体管串联连接，所述第二P型场效应晶体管的漏极与所述电源连接，所述第三P型场效应晶体管的源极与所述输入输出端口连接，所述第二P型场效应晶体管与所述第三P型场效应晶体管共栅连接，形成所述开关电路的控制端，并与所述第一N型场效应晶体管的漏极、所述第一P型场效应晶体管的漏极连接； 

当所述电源无电，且所述输入输出端口有电时，所述第一N型场效应晶体管关断，所述第一P型场效应晶体管导通，所述第一P型场效应晶体管的漏极电压被拉升至等于所述输入输出端口的电压，使得所述第二P型场效应晶体管与所述第三P型场效应晶体管关断，进而断开所述电源与所述输入输出端口的连接； 

当所述电源有电，且所述输入输出端口无电时，所述第一N型场效应晶体管导通，所述第一P型场效应晶体管关断，所述第一P场效应晶体管的漏极电压被下拉至0V，使得所述第二P型场效应晶体管与所述第三P型场效应晶体管导通，进而闭合所述电源与所述输入输出端口的连接。 

优选地，所述开关电路还包括负载电阻。 

优选地，所述负载电阻一端与所述第二P型场效应晶体管的源极连接，另一端与所述第三P型场效应晶体管的漏极连接；或者 

所述负载电阻一端与所述电源连接，另一端与所述第二P型场效应晶体管的漏极连接；或者 

所述负载电阻一端与所述第三P型场效应晶体管的源极连接，另一端与所述输入输出端口连接。 

本实用新型实施例提供的防止反向电流传输的上拉电阻电路解决了现有技术中IO接口通过电阻R0向VCC0传输反向电流的问题，实现了当与输出输入接口连接的电源无电时，防止输入输出接口向其连接的电源进行反向电流的传输，避免输入输出接口的功能错误，并且本实用新型实施例提供的防止反向电流传输的上拉电阻电路与输入输出端口电路结构简单，节约成本。 

附图说明

图1为现有技术提供的设备的接口电路； 

图2为本实用新型实施例提供的一种防止反向电流传输的上拉电阻电路； 

图3为本实用新型实施例提供的另一种防止反向电流传输的上拉电阻电路；