[实用新型]一种AlGaAs外延片切割装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体制备技术，具体的涉及一种AlGaAs外延片切割装置。

背景技术

二极管是在外延层上注入基区、发射区得到外延片，经切割分离得到单个的二极管晶粒再经封装工艺制造而成。AlGaAs发光二极管外延片包括N面电极层、N型掺杂层、P型掺杂层、衬底层和P面电极层，其N型掺杂层和P型掺杂层均含有Al材质，切割时Al会黏附在切割刀片的刀刃上使刀况较差，切割时崩损率高，影响产品品质及降低成品良率。

发明内容

本实用新型旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本实用新型提出一种AlGaAs外延片切割装置，包括切割盘1、封装带3、切割刀片4、磨刀装置；所述切割盘内为负压，所述封装带用于贴附AlGaAs外延片5，所述封装带设置在所述切割盘上，所述磨刀装置可与切割刀片接触。切割时切割盘在AlGaAs外延片上往复移动切割，当切割刀片运动到磨刀装置时，磨刀装置将刀刃上黏附的Al等切屑清除掉，从而改善切割刀片状况，降低切割崩损异常率，提高刀片寿命，提升产品良率。

进一步地，所述磨刀装置包括磨刀工具一6、磨刀工具二7，所述磨刀工具一6、磨刀工具二7设置在所述外延片5竖直方向范围外，避免被磨刀装置清除的切屑掉在外延片5上。

进一步地，所述磨刀工具一6、磨刀工具二7相互垂直地设置在所述封装带上靠近所述外延片的位置。当切割刀片横向移动切割时，切割刀片移动到磨刀工具二时，磨刀工具二对其进行打磨；当切割刀片纵向移动切割时，切割刀片移动到磨刀工具一时，磨刀工具一对其进行打磨。

进一步地，所述磨刀工具一6、磨刀工具二7为硅芯片。

进一步地，还包括压紧装置2，所述压紧装置2用于将封装带压紧在所述切割盘上，使封装带与切割盘密封。

进一步地，所述压紧装置2为铁环。

附图说明

图1是本实用新型的立体结构示意图；

其中，1、切割盘；2、压紧装置；3、封装带；4、切割刀片；5、外延片；6、磨刀工具一；7、磨刀工具二。

具体实施方式

下面详细描述本实用新型的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本实用新型，而不能理解为对本实用新型的限制。

在本实用新型的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。

在本实用新型的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。

下面参考图1描述本实用新型的实施例。

如图1的一种AlGaAs外延片切割装置，包括切割盘1、封装带3、切割刀片4、磨刀装置；所述切割盘内为负压，所述封装带用于贴附AlGaAs外延片5，所述封装带设置在所述切割盘上，所述磨刀装置可与切割刀片接触；所述磨刀装置包括磨刀工具一6、磨刀工具二7；所述磨刀工具一6、磨刀工具二7相互垂直地设置在所述封装带上靠近所述外延片的位置；所述磨刀工具一6、磨刀工具二7设置在所述外延片5竖直方向范围外，且磨刀工具一6、磨刀工具二7为硅芯片或其他坚固材质。还包括压紧装置2，所述压紧装置2将封装带压紧在所述切割盘上，使封装带与切割盘密封，且所述压紧装置2为铁环。

在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示意性实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本实用新型的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。

尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例，本领域的普通技术人员可以理解：在不脱离本实用新型的原理和宗旨的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本实用新型的范围由权利要求及其等同物限定。