[实用新型]一种基于BIPV应用的薄膜电池透光背电极有效
申请号: | 201320634794.8 | 申请日: | 2013-10-15 |
公开(公告)号: | CN203521436U | 公开(公告)日: | 2014-04-02 |
发明(设计)人: | 邵传兵;刘小雨;田子;李士刚;刘胜博;王旗 | 申请(专利权)人: | 山东禹城汉能光伏有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/0216;H01L31/055 |
代理公司: | 济南泉城专利商标事务所 37218 | 代理人: | 李桂存 |
地址: | 251200 山东省德州*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 bipv 应用 薄膜 电池 透光 电极 | ||
【权利要求书】:
1.一种基于BIPV应用的薄膜电池透光背电极,其特征在于:自上而下依次包括AZO层Ⅰ(1)、金属层(2)以及AZO层Ⅱ(3),所述AZO层Ⅰ(1)的厚度为90nm,所述金属层(2)的厚度为22nm,所述AZO层Ⅱ(3)的厚度为60nm。
2.根据权利要求1所述的基于BIPV应用的薄膜电池透光背电极,其特征在于:所述金属层(2)为金属铝层或者金属银层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的