[实用新型]烧结炉输出口改进结构有效
申请号: | 201320639371.5 | 申请日: | 2013-10-16 |
公开(公告)号: | CN203466209U | 公开(公告)日: | 2014-03-05 |
发明(设计)人: | 竺峰;赵国成 | 申请(专利权)人: | 宁波富星太阳能有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 宁波诚源专利事务所有限公司 33102 | 代理人: | 景丰强 |
地址: | 315032 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 烧结炉 输出 改进 结构 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种烧结炉,尤其涉及对烧结炉输出口的改进,属于太阳能电池硅片生产领域。
背景技术
在太阳能电池片的整个生产工艺流程中,烧结工艺尤为重要,其中,烧结工艺主要用于烘干印刷在硅片表面上的浆料,去除浆料中有机物成分,通过高温使硅与金属浆料形成良好的欧姆接触,即半导体材料与金属接触时没有形成整流接触,接触时的电阻远小于材料电阻的一种接触,当电流通过时不会产生显著的压降和功耗,从而进一步提高电池片的转换效率。
目前,国内外的太阳电池生产制造厂家主要使用网带式隧道烧结炉,印刷有电极的硅片通过网带传输,最终将烧结后的硅片输出烧结炉,通过人工捡拾、检查后放入承载盒内。生产线往往一天输送大量的电池片,而且在烧结炉输出口捡拾的工人也在更换,因此若要得知已烧结的硅片的数目,只得临时查取置于承载盒内的硅片数目,这样既浪费了时间又浪费人力。
电池硅片在经过烧结工艺后才能进行测试,电池硅片在测试时温度条件在25±1度,才能满足测试条件,所以经过900度烧结后,需要非常好的冷却效果。目前常用的生产线,在硅片从烧结炉出来后,一般直接输送到测试机,因此电池片大多无法降低到测试温度,造成很多电池硅片由于温度过高,而无法准确测试数据,极大影响了生产产能和产品的品质。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题是针对技术现状提供一种结构简单的能得知烧结后硅片数目的烧结炉。
本实用新型所要解决的另一个技术问题是提供一种能及时冷却烧结后的硅片的烧结炉。
本实用新型解决上述技术问题所采用的技术方案为:一种烧结炉输出口改进结构,位于炉体的输出口处,所述炉体内设有用于传送硅片的输送轨道,其特征在于:包括电池片传感器和与该电池片传感器相连的计数器,所述计数器具有一显示屏,所述的电池片传感器位于炉体的输出口的上方。电池片传感器感知通过烧结炉输出口的硅片时,及时将信号反馈给计数器,从而在计数器的显示屏上显示出通过烧结炉输出口的硅片的数目。
作为上述技术方案的一种改进,该改进结构还包括一冷却部件,所述冷却部件靠近所述炉体的输出口设置。当经烧结后的硅片通过烧结炉输出口时,该冷却部件能及时对硅片降至测试温度,从而提高测试的精确度。
进一步改进,所述炉体的输出口处设有一安装基台,所述安装基台包括一平台和两个支撑在平台下方的支座,两个所述支座坐落在所述输送轨道的两侧,所述冷却部件坐落在平台上,并通过开设在平台上的通孔吹向输送轨道。
进一步改进,所述电池片传感器上罩有一透明罩。
优选的,所述的电池片传感器为光线感应器。
优选的,所述冷却部件为至少一个的风扇。
与现有技术相比,本实用新型的优点在于:本烧结炉输出口设有电池片传感器,能感知通过烧结炉输出口的硅片并及时通过计数器获得具体数目,省去了后续的人工查取承载盒内硅片数目这一程序;同时,烧结炉输出口还设有冷却部件,优选为风扇,能及时将经过烧结后的电池片降温至测试温度,从而提高测试的精确度。本烧结炉结构简单、操作方便,同时实现了对电池片的计数和冷却,更具有实用性。
附图说明
图1为实施例结构示意图;
图2为图1中A的放大图。
具体实施方式
以下结合附图实施例对本实用新型作进一步详细描述。
本实施例的烧结炉如图1和图2所述,包括炉体1,炉体1内设有用于输送硅片的输送轨道11,在炉体1的输出口处设有一安装基台,该安装基台包括一平台21及两个支撑在平台21下方的支座22,支座22横跨输送轨道11而坐落在炉体1表面。平台21中部固定有一连接外接电源的冷却部件,在本实施例中,冷却部件为一风扇3,同时,与风扇3相对应的平台21上开设有通孔,风扇3透过该通孔吹向输送轨道11,从而及时将经过烧结后的硅片降温至测试温度,从而提高测试的精确度。
炉体1的输出口处还设有一电池片传感器4和与电池片传感器4相连的计数器5,计数器5具有一显示屏51,电池片传感器4外罩有一透明罩,以起到防尘的作用,在本实施例中,电池片传感器4具体为一光线感应器,能及时感知通过光线感应器下方的硅片,并将信息传递给计数器5,从而计数器5上的显示屏51及时显示出通过的硅片数目。电池片传感器4设置在炉体1输出口的上方,可通过螺栓紧固、粘结等方式固定在炉体1侧壁上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的