[实用新型]一种具有新型细栅线结构的晶体硅太阳电池有效
申请号: | 201320643307.4 | 申请日: | 2013-10-18 |
公开(公告)号: | CN203481248U | 公开(公告)日: | 2014-03-12 |
发明(设计)人: | 许佳平;陈康平;金浩;蒋方丹 | 申请(专利权)人: | 浙江晶科能源有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/042 |
代理公司: | 浙江杭州金通专利事务所有限公司 33100 | 代理人: | 吴关炳 |
地址: | 314416 浙江省嘉兴*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 具有 新型 细栅线 结构 晶体 太阳电池 | ||
1.一种具有新型细栅线结构的晶体硅太阳电池,包括SiN层(1)、N型层(2)和P型基底(3),所述SiN层(1)上设有主栅线(4)和细栅线,其特征在于:将所述细栅线设置为三个区,分别为细栅线主栅附近区(5)、细栅线中间区(6)和细栅线未端区(7)。
2.如权利要求1所述的一种具有新型细栅线结构的晶体硅太阳电池,其特征在于:所述细栅线主栅附近区(5)、细栅线中间区(6)和细栅线未端区(7)的长度比为1∶2∶1,所述细栅线中间区(6)的高度高于细栅线未端区(7)4~10um;所述细栅线主栅附近区(5)的宽度宽于细栅线中间区(6)3~8um。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的