[实用新型]一种化学机械研磨垫有效
申请号: | 201320649958.4 | 申请日: | 2013-10-21 |
公开(公告)号: | CN203542340U | 公开(公告)日: | 2014-04-16 |
发明(设计)人: | 唐强;马智勇 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
主分类号: | B24B37/16 | 分类号: | B24B37/16 |
代理公司: | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人: | 李仪萍 |
地址: | 100176 北京市大兴*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 化学 机械 研磨 | ||
1.一种化学机械研磨垫,其特征在于,所述化学机械研磨垫至少包括:
具有旋转中心的研磨垫本体,其由底层和表层两层构成;
设于所述表层内的、用于分布抛光液的若干沟槽,所述沟槽截面为若干以研磨垫本体的旋转中心为圆心的同心圆环;位于研磨垫中部的沟槽的横截面为直角U型;位于研磨垫边缘的沟槽的横截面为倒直角梯形。
2.根据权利要求1所述的化学机械研磨垫,其特征在于:所述位于研磨垫边缘、横截面为倒直角梯形的沟槽远离旋转中心的一侧为斜边。
3.根据权利要求1或2所述的化学机械研磨垫,其特征在于:所述位于研磨垫边缘的倒直角梯形的深度h1小于位于研磨垫中部的直角U型沟槽的深度h2。
4.根据权利要求3所述的化学机械研磨垫,其特征在于:所述倒直角梯形沟槽的深度h1为3~8密耳,上宽d1为6~15密耳,下宽d2为5~10密耳,斜边长L为5~12密耳。
5.根据权利要求3所述的化学机械研磨垫,其特征在于:所述直角U型沟槽的深度h1为5~10密耳,宽度d3为5~10密耳。
6.根据权利要求1或2所述的化学机械研磨垫,其特征在于:所述位于研磨垫边缘的倒直角梯形的深度h1大于位于研磨垫中部的直角U型沟槽的深度h2。
7.根据权利要求6所述的化学机械研磨垫,其特征在于:所述倒直角梯形沟槽的深度h1为5~10密耳,上宽d1为6~15密耳,下宽d2为5~10密耳,斜边长L为8~15密耳。
8.根据权利要求6所述的化学机械研磨垫,其特征在于:所述直角U型沟槽的深度h1为3~8密耳,宽度d3为5~10密耳。
9.根据权利要求1或2所述的化学机械研磨垫,其特征在于:所述位于研磨垫中部的直角U型沟槽为20~25条;所述位于研磨垫边缘的倒直角梯形沟槽为3~5条。
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