[实用新型]用于触摸屏的自电容传感装置有效
申请号: | 201320651397.1 | 申请日: | 2013-10-22 |
公开(公告)号: | CN203689487U | 公开(公告)日: | 2014-07-02 |
发明(设计)人: | 莫良华;刘卫平 | 申请(专利权)人: | 敦泰科技有限公司 |
主分类号: | G06F3/044 | 分类号: | G06F3/044 |
代理公司: | 深圳市睿智专利事务所 44209 | 代理人: | 陈鸿荫 |
地址: | 开曼群岛大开曼*** | 国省代码: | 开曼群岛;KY |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 触摸屏 电容 传感 装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及传感信号的检测装置,特别是涉及用于触摸屏的、将触碰信息转换为自电容变化量的装置。
背景技术
自电容触摸屏作为电容式触摸屏的一种,以自电容传感装置为基础。该电容传感装置将对触摸屏的触碰信息转换为自电容变化信号,并根据自电容变化信号确定触碰位置坐标。所述自电容传感装置不仅可以用于制造独立的触摸屏,还可以结合应用在相关设备中,例如将自电容传感装置结合在显示设备上,制成触摸显示屏。所述自电容传感装置由于其只需要单层布局布线,生产工艺简单,良率高,成本低,在智能机和平板电脑上得到了越来越广泛的应用。现有技术单层自电容传感装置的电极布置结构图如图12所示,采用三角形或者类三角形的电极91,各电极91成对设置成互补的电极对92,各电极对92重复堆叠而布满整个触摸屏或者显示屏的屏体。从图12所示电极布置结构中就可以明显看出,各电极91之间没有交叉走线的情况,令生产工序较为简单。现有技术自电容传感装置还包括电连接各电极91的自电容检测单元。
图13和图14示出自电容检测的基本原理。在电极91上通常覆盖一层用透明绝缘介质材料制成的盖板93。自电容传感装置的自电容,即电极91到地的电容,如图13所示的Cp。当人体94触摸到盖板93上时,由于人体近似于一个大地,相当于电极91上的又并联了一个到地的电容Cf,从而令电极91到地的自电容增加,如图13和图14所示。通过侦测自电容变化情况,可以判断出是否发生触摸。
如图12所示,长底边位于左侧的电极91按911L、912L、…、91(M-1)L、91ML、91(M+1)L、…编号,长底边位于右侧的电极91按911R、912R、…、91(M-1)R、91MR、91(M+1)R、…编号,M代表一自然数。相同数字编号的两电极91构成一电极对,例如,编号是91ML与91MR的电极91构成电极对。当发生触摸时自电容检测单元通过检测各电极91的自电容变化量。触摸点99引起六个电极91发生自电容变化,它们的编号分别是91(M-1)L、91ML、91(M+1)L、91(M-1)R、91MR和91(M+1)R。相应地自电容变化量分别是Dp1、Dp2、Dp3、Dp4、Dp5和Dp6。首先找出纵向方向上变化量最大的通道为触摸发生的通道,即变化量是Dp2、编号是91ML对应电极91的通道,结合其上下通道的变化量,求出其重心位置,即为触摸点的纵轴坐标;通过变化量最大的通道及其对面三角形电极变化量的比值,得出横轴方向上的坐标。
现有技术自电容传感装置还存在以下的缺陷和不足之处:
1. 生产工艺复杂;现有技术自电容传感装置的电极91,在实际生产中一般都无法做出真正的三角形,而以类三角形的梯形代替;为了在X轴方向上获得比较好的精度,通常要求梯形窄的一边,例如图12所示编号是911L的电极91的右侧,宽度越小越好,通常要求在0.3mm甚至更小,这对工艺能力有一定要求,成为影响生产成本降低的因素之一;
2. 生产工序多;传统结构的最小检测单元是一对三角形,而且为了改善画线线性度,还会把每个三角形拆成两个或更多个小三角形并联,这样的电极结构,对于激光工艺来说,需要切割很多次,成为又一个影响生产成本降低的因素;
3. 对于采用软性基材的触摸屏模组,例如用薄膜材料制成基材,如果在这种基材上采用现有技术自电容传感装置的电极91,由于三角形电极91的尖端很细,在生产、运输、测试过程中如果基材发生弯折,可能会导致电极区用于制造电极的透明导电材料,例如氧化铟锡Indium Tin Oxide发生断裂,而使得自电容传感装置,乃至触摸屏损坏;所述三角形电极91的易损结构也是影响生产成本降低的因素;
4. 电极材料要求高;对于一些新型制造电极91的材料,例如金属网metal mesh材料,为了保证构成金属网的金属丝之间搭接良好,电极91的最小宽度会比现有的氧化铟锡ITO材料大,应当在1mm以上,该最小宽度对于将现有技术三角形电极91用于制造自电容传感装置很难接受;
5. 抗静电释放Electro-Static Discharge性能差;对于现有主流的透明导电材料氧化铟锡ITO,其阻抗较大,如果发生静电释放ESD事件,在氧化铟锡ITO宽度较小的区域,例如宽度在0.1mm以下,比较容易发生静电释放ESD,导致氧化铟锡ITO电极间短路。
实用新型内容
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