[实用新型]氧化铝单晶生长炉的铜环结构有效
申请号: | 201320654284.7 | 申请日: | 2013-10-22 |
公开(公告)号: | CN203602751U | 公开(公告)日: | 2014-05-21 |
发明(设计)人: | 李广敏;茅陆荣;李严州;朱晓龙;宋瑜 | 申请(专利权)人: | 上海森松化工成套装备有限公司 |
主分类号: | C30B15/00 | 分类号: | C30B15/00;C30B29/20 |
代理公司: | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人: | 成丽杰 |
地址: | 201323 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 氧化铝 生长 铜环 结构 | ||
1.一种氧化铝单晶生长炉的铜环结构,包含由两组半环部件构成的铜环主体,其特征在于:
所述氧化铝单晶生长炉的铜环结构还包含:分别开设在每组半环部件表面的槽体、分别插入每组半环部件内并与所述槽体相连的长中空导电棒和短中空导电棒;
所述长中空导电棒的两端和所述短中空导电棒的两端为不封闭的;所述长中空导电棒通过所述槽体与所述短中空导电棒导通。
2.根据权利要求1所述的氧化铝单晶生长炉的铜环结构,其特征在于:
所述氧化铝单晶生长炉的铜环结构还包含:分别设置在每组半环部件上的封板,所述封板封闭所述半环部件上的槽体。
3.根据权利要求1所述的氧化铝单晶生长炉的铜环结构,其特征在于:所述半环部件的两端分别具有一个第一圆弧突起部和一个第二圆弧突起部;
所述长中空导电棒插入所述第一圆弧突起部内;所述短中空导电棒插入所述第二圆弧突起部内。
4.根据权利要求3所述的氧化铝单晶生长炉的铜环结构,其特征在于:所述槽体的两端分别延伸至所述半环部件的第一圆弧突起部和第二圆弧突起部;
所述槽体的一侧延伸端与插入所述第一圆弧突起部的长中空导电棒相连,另一侧延伸端与插入所述第二圆弧突起部的短中空导电棒相连。
5.根据权利要求3所述的氧化铝单晶生长炉的铜环结构,其特征在于:所述第一圆弧突起部内设有连接所述槽体和所述长中空导电棒的第一方槽,所述长中空导电棒通过所述第一方槽与所述槽体导通;
所述第二圆弧突起部内设有连接所述槽体和所述短中空导电棒的第二方槽,所述短中空导电棒通过所述第二方槽与所述槽体导通。
6.根据权利要求1所述的氧化铝单晶生长炉的铜环结构,其特征在于:所述长中空导电棒的底部开设有与所述槽体导通第一槽口;
所述短中空导电棒的底部开设有与所述槽体导通的第二槽口。
7.根据权利要求1所述的氧化铝单晶生长炉的铜环结构,其特征在于:所述长中空导电棒与所述半环部件采用螺纹连接。
8.根据权利要求7所述的氧化铝单晶生长炉的铜环结构,其特征在于:所述半环部件的上表面对应所述长中空导电棒的外圆,与所述长中空导电棒进行焊接。
9.根据权利要求1所述的氧化铝单晶生长炉的铜环结构,其特征在于:所述短中空导电棒与所述半环部件采用螺纹连接。
10.根据权利要求9所述的氧化铝单晶生长炉的铜环结构,其特征在于:所述半环部件的上表面对应所述短中空导电棒的外圆,与所述短中空导电棒进行焊接。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海森松化工成套装备有限公司,未经上海森松化工成套装备有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201320654284.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:适用于纺前注射生产的控制系统
- 下一篇:一种电解铜箔设备精密配液装置