[实用新型]一种新型白光LED结构

权利要求书

1.一种新型白光LED结构，包括通过胶粘合的蓝光LED芯片和红黄光LED芯片，其特征在于：所述蓝光芯片包括衬底、在衬底上依次生长的缓冲层、DBR层、n型半导体材料层、发光层、电子阻挡层、p型半导体材料层和透明电极层；所述红黄光芯片包括衬底、在衬底上依次生长的n型半导体材料层、发光层、p型半导体材料层和透明电极层，透明电极层上设有反射层。

2.根据权利要求1所述的新型白光LED结构，其特征在于：所述蓝光芯片包括有蓝宝石衬底、GaN缓冲层、DBR层、n型GaN层、由InGaN和GaN材料层组成的发光层、AlGaN电子阻挡层、p型GaN层和ITO透明电极层。

3.根据权利要求1所述的新型白光LED结构，其特征在于：所述红黄光芯片包括有GaP衬底、n型AlInGaN层、发光波长为560-600nm的Al_xIn_yGa_zP发光层、p型AlInGaN层、ITO透明电极层和反射层，其中AlxInyGazP发光层中，x和y的摩尔分数均为0.25-0.5，x=y，z=1-x-y。

4.根据权利要求1所述的新型白光LED结构，其特征在于：所述红黄光芯片的尺寸大于或等于蓝光芯片的尺寸。

5.根据权利要求1或3所述的新型白光LED结构，其特征在于：所述DBR层由2-15个周期材料层组成，每一种周期材料层由AlGaN、InGaN和GaN中的两种材料层组成，每一材料层的厚度为蓝光波长的1/4、1/8或1/16除以材料的折射率。

6.根据权利要求1所述的新型白光LED结构，其特征在于：所述反射层为金属反射层和/或DBR结构，DBR结构材料为AlGaN、InGaN和GaN中的两种。

7.根据权利要求1所述的新型白光LED结构，其特征在于：所述胶的材料为有机硅胶、银浆、导热胶、合金焊中的一种或多种，胶的厚度为100nm-100 um。

8.根据权利要求1或2所述的新型白光LED结构，其特征在于：所述蓝光芯片中，p型半导体材料层上设有阳极，n型半导体材料层上设有阴极，阴、阳极均设有焊线阴、阳极材料均为Ti、Ni、Au、Ag、Pt、Cr和Wu中的一种或多种，焊线材料为Cu、Al和Ag中的一种或多种。

9.根据权利要求1或3所述的新型白光LED结构，其特征在于：所述红黄光芯片中，p型半导体材料层上设有阳极，n型半导体材料层上设有阴极，阴、阳极均设有焊线，阴、阳极材料均为Ti、Ni、Au、Ag、Pt、Cr和Wu中的一种或多种，焊线材料为Cu、Al和Ag中的一种或多种。