[实用新型]一种薄膜太阳能电池

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种太阳能电池，具体涉及一种薄膜太阳能电池。

背景技术

目前世界上研究开发出的太阳电池种类繁多，按电池结构可分类为：同质结太阳电池、异质结太阳电池、肖特基结太阳电池、薄膜太阳电池等。市场上主要以硅基太阳能电池为主，但硅基太阳能电池价格昂贵，且存在光致衰减效应，使得在太阳光下长时间照射会产生效率的衰减，从而导致整个电池效率的降低。薄膜太阳能电池相对晶体硅电池具有阴雨天光谱效应好、质轻、价格低廉、柔性等优点，从而受到了国内外的广泛关注。

硅属于间接跃迁类型，其吸收系数上升非常平缓，所以在太阳光照射下，光可到达距表面20μm以上相当深的地方，在此还能产生电子-空穴对。同时由于光致衰退效应的存在，导致晶体硅薄膜电池效率降低，现在学术界和产业界普遍认为太阳能电池发展已经进入了第三代。第一代为单晶硅太阳能电池，第二代为多晶硅、非晶硅等低成本太阳能电池，第三代就是高效、低成本、可大规模工业化生产薄膜太阳能电池。因此，Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ族化合物如铜铟镓硒或铜铟硫作为新型太阳能电池材料正受到广泛关注。现有的晶体硅太阳电池存在材料消耗多和制造能耗高的问题。

实用新型内容

本实用新型的目的是为了解决现有的晶体硅太阳电池存在材料消耗多和制造能耗高的问题。进而提供一种薄膜太阳能电池。

本实用新型的技术方案是：一种薄膜太阳能电池，包括第一导电玻璃基底、沉积吸收层、缓冲层、导电银胶和第二导电玻璃基底，第一导电玻璃基底、沉积吸收层、缓冲层、导电银胶和第二导电玻璃基底由上至下依次设置，第一导电玻璃基底和第二导电玻璃基底上引出电极。

本实用新型与现有技术相比具有以下效果：

1.本实用新型的太阳能薄膜电池与晶体硅太阳电池相比具有如下优点：1)材料消耗少，薄膜式太阳能电池由于只需使用极薄光电转换材料，相对于晶体硅太阳电池必须维持一定厚度而言，薄膜式太阳能电池功能材料厚度仅几十微米，材料使用非常少；2)制造能耗低，薄膜式太阳能电池大多使用化学气相沉积CVD，物理化学相沉积PCVD等技术，相较于晶体硅太阳电池的晶体拉制、切割工艺可降低制造能耗。

2.本实用新型操作简单，对环境无污染。各层的制备条件都较易获得，不需要真空条件及复杂昂贵的设备，且获得的各层薄膜都较均匀，结合力强。

附图说明

图1是本实用新型的主视图；图2是图1的俯视图。

具体实施方式

具体实施方式一：结合图1和图2说明本实施方式，本实施方式包括第一导电玻璃基底1、沉积吸收层2、缓冲层3、导电银胶4和第二导电玻璃基底5，第一导电玻璃基底1、沉积吸收层2、缓冲层3、导电银胶4和第二导电玻璃基底5由上至下依次设置，第一导电玻璃基底1和第二导电玻璃基底5上引出电极6。

具体实施方式二：结合图1和图2说明本实施方式，本实施方式的第一导电玻璃基底1为正电极。如此设置，便于使用。其它组成和连接关系与具体实施方式一相同。

具体实施方式三：结合图1和图2说明本实施方式，本实施方式的第二导电玻璃基底5为负电极。如此设置，便于使用。其它组成和连接关系与具体实施方式一相同。

具体实施方式四：结合图1和图2说明本实施方式，本实施方式的第一导电玻璃基底1的长度为30mm，宽度为10mm，厚度为3mm。如此设置，材料消耗少，制造能耗低。其它组成和连接关系与具体实施方式三相同。

具体实施方式五：结合图1和图2说明本实施方式，本实施方式的第二导电玻璃基底5的长度为30mm，宽度为10mm，厚度为3mm。如此设置，材料消耗少，制造能耗低。其它组成和连接关系与具体实施方式四相同。

具体实施方式六：结合图1和图2说明本实施方式，本实施方式的沉积吸收层2的长度为20mm，宽度为10mm，厚度为2×10^-3mm。如此设置，材料消耗少，制造能耗低。其它组成和连接关系与具体实施方式五相同。

具体实施方式七：结合图1和图2说明本实施方式，本实施方式的缓冲层3的长度为18mm，宽度为10mm，厚度为4×10^-3mm。如此设置，材料消耗少，制造能耗低。其它组成和连接关系与具体实施方式六相同。

具体实施方式八：结合图1和图2说明本实施方式，本实施方式的导电银胶4的长度为17mm，宽度为10mm，厚度为2×10^-3mm。如此设置，材料消耗少，制造能耗低。其它组成和连接关系与具体实施方式七相同。