[实用新型]一种多频带LTE手机天线

说明书

技术领域

本实用新型属于手机天线设计技术领域，具体为一种多频带LTE手机天线。

背景技术

随着无线通信系统的迅速发展，手机作为一种较为频繁使用的手持无线移动终端设备，在人们日常生活中起着重要作用。通常移动终端设备包括GSM850/900，DCS，PCS，UMTS，其频率范围0.824GHz-0.96GHz，1.71GHz-2.17GHz。

LTE(Long Term Evolution, 长期演进) 技术是3G 与4G 技术之间的一个过渡。相对与2G 和3G 技术，它具有使用户的等待时间减少、具有更高的用户数据速率、系统容量和覆盖的改善以及运营成本的降低等优点。由于LTE 技术的有以上的优越性，特别是在20MHz 频谱带宽下能够提供下行326Mbit/s 与上行86Mbit/s 的峰值速率，使具有LTE 技术的手机受到青睐。

随着LTE 技术的不断发展，3.5GHz, 4GHz 备受关注，手机需要天线同时满足传统的2G 网络频段和LTE 频段，但手机的厚度越来越薄，对天线设计要求也越来越高，而LTE 技术所要求的频带带宽非常宽（698 － 960MHz、1710-2170MHZ、2300-2700MHz），在目前手机天线的空间环境下，常规天线很难满足LTE 技术所要求的带宽。

实用新型内容

鉴于上述现有技术中所存在的不足，本实用新型的目的在于提供一种多频带LTE手机天线，适于放置安装在手机等移动终端上，可满足LTE 技术要求的新型多频段手机使用需求。

为达到上述目的，本实用新型将通过下述技术方案实现：一种多频带LTE手机天线，包括分别通过短路点和馈电点连接到线路板的天线回路辐射单元和馈电单元，其特征在于：所述天线回路辐射单元在短路点的两边分别设置有呈反S型的第一辐射回路和呈F型的第二辐射回路，所述馈电单元设置为L型，L型的一边连接到馈电点，另一边设置在所述第二辐射回路的F型结构的开口内，并分别与第二辐射回路的F型结构的两个边之间留有耦合间隙。

作为优选，所述馈电单元与第二辐射回路的F型结构的上边之间的耦合间隙为0.3mm，与第二辐射回路的F型结构的下边之间的耦合间隙为0.7mm。

通过使用变形的F型耦合馈电，使天线拓展了低频900MHz的带宽，从而使天线在低频有较好的性能，天线所形成的两个宽频带有效地覆盖了LTE700／GSN850／900和GSM1800／1900／UMTS／LTE2300／2500等频段。

本实用新型相比现有技术具有以下优点及有益效果：

本实用新型使用耦合馈电，通过回路辐射单元拓宽频带宽度，满足移动终端的多频段使用要求；该天线体积小，制作简单经济，省去了一般手机天线支架的制作，大大降低手机的厚度以及比特率SAR值，非常适用于LTE 技术要求的新型多频段超薄移动通信终端使用。

附图说明

图1为本实用新型一种多频带LTE手机天线的结构示意图。

具体实施方式

下面结合实施例及附图对本实用新型作进一步详细的描述，但本实用新型的实施方式不限于此。

实施例如图1所示，一种多频带LTE手机天线，包括分别通过短路点3和馈电点4连接到线路板的天线回路辐射单元1和馈电单元2，其特征在于：所述天线回路辐射单元1在短路点3的两边分别设置有呈反S型的第一辐射回路11和呈F型的第二辐射回路12，所述馈电单元2设置为L型，L型的一边连接到馈电点4，另一边设置在所述第二辐射回路12的F型结构的开口内，并分别与第二辐射回路12的F型结构的两个边之间留有耦合间隙5。

作为优选，所述馈电单元2与第二辐射回路12的F型结构的上边之间的耦合间隙5为0.3mm，与第二辐射回路12的F型结构的下边之间的耦合间隙5为0.7mm。

上述实施例为本实用新型较佳的实施方式，但本实用新型的实施方式并不受上述实施例的限制，其他的任何未背离本实用新型的精神实质与原理下所作的改变、修饰、替代、组合、简化，均应为等效的置换方式，都包含在本实用新型的保护范围之内。