[实用新型]电流检测电路及充电电池有效
申请号: | 201320666583.2 | 申请日: | 2013-10-28 |
公开(公告)号: | CN203587662U | 公开(公告)日: | 2014-05-07 |
发明(设计)人: | 田文博;王钊;常星;李展 | 申请(专利权)人: | 无锡中星微电子有限公司 |
主分类号: | G01R19/00 | 分类号: | G01R19/00;G01R31/36 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 214135 江苏省无锡市新*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电流 检测 电路 充电电池 | ||
1.一种电流检测电路,具有第一、第二、第三连接端,其中第一连接端连接电池的电芯的负极、第二连接端连接电芯的正极、第三连接端连接电池的外接负极,其特征在于,还包括:
用以产生基准电流的电流偏置电路和用于成比例镜像所述基准电流的电流镜、比较器,所述基准电流流过第二电阻,产生负温度系数电压,以及正温度系数电压产生电路;以及
第五PMOS晶体管和第六PMOS晶体管组成第一电平移动电路,所述第五PMOS晶体管和第六PMOS晶体管的漏极连接到所述电芯的负极,所述第五PMOS晶体管的源极连接到所述第二电阻的一端,所述第六PMOS晶体管的源极连接到所述电流镜;
第五PMOS晶体管和第六PMOS晶体管的栅极连接到一选择电路,所述选择电路连接第一、第二控制端。
2.如权利要求1所述的电流检测电路,其特征在于,所述电流偏置电路由第一电阻、第一NMOS晶体管、第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管以及第一NPN晶体管Q3组成,所述第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管以及第三PMOS晶体管、第四PMOS晶体管组成所述电流镜,所述电流镜成比例镜像所述第一PMOS晶体管的电流,并流过第二电阻,以产生负温度系数电压。
3.如权利要求2所述的电流检测电路,其特征在于,所述第二电阻的一端连接第一NPN晶体管的基极、所述第一NPN晶体管、第二NPN晶体管以及电流偏置器件组成所述正温度系数电压产生电路,所述第一NPN晶体管、第二NPN晶体管的集电极连接到所述比较器,所述第五PMOS晶体管和第六PMOS晶体管的漏极连接到所述电流偏置器件。
4.如权利要求1-3任一项所述的电流检测电路,其特征在于,还包括电平转换电路,其输出端连接在所述选择电路,输入端连接在所述第一和第二 控制端,用于调整所述第一控制端和第二控制端的输出电压。
5.如权利要求1-3任一项所述的电流检测电路,其特征在于,所述选择电路进一步包括第一、第二、第三、第四开关,其中,所述第一、第二开关串联之后再与串联的第三、第四开关并联、所述第三连接端连接在所述第三、第四开关之间、所述第一、第二开关的连接点与所述第一连接端连接。
6.一种充电电池,其特征在于,包括如权利要求1-5任一项所述的电流检测电路。
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