[实用新型]LED芯片

说明书

技术领域

   本实用新型涉及一种LED芯片的制作工艺，尤其涉及一种LED芯片。

背景技术

随着LED芯片技术与封装技术的发展，越来越多的LED产品应用于照明领域，尤其是大功率白光LED。由于LED具有高光效、长寿命、节能环保、合适调光控制、不含汞等污染物质的特点，成为继白炽灯、荧光灯等传统光源之后的新一代照明光源。

目前，大部分LED芯片是采用正装结构，即LED的半导体层以外延的方式沉积在非导电的蓝宝石基底上，因此具有导热不良等缺点。为此，申请号为200910132057.6的专利，公布了一种LED芯片结构的制作工艺，所述方法包括:

在一衬底上沉积一或多层n型III族氮化物半导体层,其中所述一或多层n型III族氮化物半导体层具有一第一表面以及一第二表面;

在所述一或多层n型III族氮化物半导体层的第一表面上沉积一或多层III族氮化物活化层;

在所述一或多层III族氮化物活化层上沉积一或多层p型III族氮化物半导体层;

在所述一或多层p型III族氮化物半导体层上沉积一原位(in-situ)形成层;在所述原位形成层上沉积一或多层反射金属层。

上述专利是将p型半导体表面沉积金属层，并移除n性半导体表面的蓝宝石沉底，形成垂直结构的LED芯片，来解决了LED芯片的散热问题。

然而，此类垂直结构的LED芯片，在封装时，需要通过共晶工艺焊接到封装支架之上，该工艺复杂、难以控制，存在焊接空洞等问题，从而导致散热不佳，加工困难等问题。

实用新型内容

       本实用新型的一目的在于提供一种LED芯片，以解决现有技术中散热性不佳，加工困难的技术问题。

一种LED芯片，包括：

一层或者多层n型Ⅲ族氮化物半导体层；

一层或者多层Ⅲ族氮化物活化层，设置在上述一层或者多层n型Ⅲ族氮化物半导体层的上表面；

一层或者多层p型Ⅲ族氮化物半导体层，在上述一层或者多层Ⅲ族氮化物活化层的上表面；

反向穿隧层，在上述一层或者多层p型Ⅲ族氮化物半导体层的上表面；

一层或者多层反射金属层，在上述反向穿隧层的上表面；

将上述晶元划裂设置成多个单颗LED芯片，上述LED芯片喷溅的n型电极，延伸至反射金属层；

将上述单颗LED芯片的反射金属层，键合设置在金属基板上。

较佳地，所述金属基板包含两片，一片与正极连接，一片与负级连接。

    与现有技术相比，本实用新型具有以下优点：

 金属基板的面积远远大于外延片的面积，以便于封装焊接。现有技术的金属基板的面积与外延片的面积相同，外延片位于金属基板上方，使金属基板不具有散热的功能，增大金属基板面积后，外延片面积远远小于金属基板，金属基板大面积的裸露在外，具有良好的散热性能；同时，现有技术的芯片整体面积比较小，焊接困难，焊接过程中容易造成芯片的损坏，增大金属基板的面积后，大大改善了这一情况，使芯片的焊接简单易行。

附图说明

图1为本实用新型LED芯片示意图;

图2为本实用新型LED芯片立体示意图;

图3为本实用新型第二方案LED芯片示意图。

具体实施方式

    以下结合附图，具体说明本实用新型。

实施例一

请参阅图1，在蓝宝石基底上沉积一层或者多层n型Ⅲ族氮化物半导体层105，在上述一层或者多层n型Ⅲ族氮化物半导体层上表面沉积一层或者多层Ⅲ族氮化物活化层104，在上述一层或者多层Ⅲ族氮化物活化层上表面沉积一层或者多层p型Ⅲ族氮化物半导体层103，在上述一层或者多层p型Ⅲ族氮化物半导体层上表面沉积反向穿隧层，在上述反向穿隧层上表面沉积一层或者多层反射金属层102，剥离或者移除蓝宝石衬底，在n型Ⅲ族氮化物半导体层刻蚀出n型电极106，将上述晶元划裂成多个单颗LED芯片，将上述单颗LED芯片的反射金属层，键合到金属基板101上。