[实用新型]晶圆升降装置有效
| 申请号： | 201320672797.0 | 申请日： | 2013-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN203536401U | 公开（公告）日： | 2014-04-09 |
| 发明（设计）人： | 曹伟刚;田华 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/687 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 升降 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种晶圆升降装置，其特征在于，包括：
顶针、顶针环、套筒、支撑件以及顶针盒，其中，所述顶针环的一面通过螺纹固定所述顶针，另一面固定所述套筒和支撑件，所述支撑件与所述套筒相固定，所述顶针盒顶端由所述套筒伸入并与所述顶针环通过螺母相固定。
2.如权利要求1所述的晶圆升降装置，其特征在于，所述顶针盒包括一凹槽与一嵌件，所述嵌件设于所述套筒与所述凹槽之间。
3.如权利要求1所述的晶圆升降装置，其特征在于，所述顶针环和顶针的材质均为陶瓷。
4.如权利要求1所述的晶圆升降装置，其特征在于，所述套筒的材质为陶瓷。
5.如权利要求4所述的晶圆升降装置，其特征在于，所述顶针环和套筒为一体成型。
6.如权利要求1所述的晶圆升降装置，其特征在于，所述支撑件俯视图为L型，侧视图为三角形。
7.如权利要求6所述的晶圆升降装置，其特征在于，所述支撑件的材质为陶瓷。
8.如权利要求7所述的晶圆升降装置，其特征在于，所述顶针环和支撑件为一体成型。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
