[实用新型]超结器件和包括所述超结器件的半导体结构有效
申请号: | 201320675262.9 | 申请日: | 2013-10-30 |
公开(公告)号: | CN203659877U | 公开(公告)日: | 2014-06-18 |
发明(设计)人: | F.希尔勒;A.毛德 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
主分类号: | H01L29/78 | 分类号: | H01L29/78;H01L29/423 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 马丽娜;王洪斌 |
地址: | 奥地利*** | 国省代码: | 奥地利;AT |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 器件 包括 述超结 半导体 结构 | ||
1.一种超结器件,包括:
第一导电类型的漏区;
第二导电类型的体区;
位于所述漏区和所述体区之间的漂移区,所述漂移区由第一导电类型的第一区和第二导电类型的第二区构成,所述第一区和第二区沿垂直于从所述体区到所述漏区的方向的方向交替排列;
多个沟槽栅结构,每个沟槽栅结构包括从所述体区的上表面延伸进入所述漂移区中的沟槽和在所述沟槽中的被填充所述沟槽的第一电介质层包围的栅电极;和
嵌入所述体区中的第一导电类型的源区,
其特征在于,沿着所述第一电介质层与所述体区之间的总界面长度的至少10%不存在源区。
2.根据权利要求1所述的超结器件,其特征在于,在所述多个沟槽栅结构中的至少25%的沟槽栅结构的至少一侧不存在源区。
3.根据权利要求1所述的超结器件,其特征在于,在所述多个沟槽栅结构中的至少10%的沟槽栅结构的两侧均不存在源区。
4.根据权利要求1所述的超结器件,其特征在于,在所述多个沟槽栅结构中的一个或多个沟槽栅结构的同一侧均不存在源区。
5.根据权利要求3所述的超结器件,其特征在于,在其两侧都不存在源区的所述沟槽栅结构位于所述漂移区中的第二导电类型的第二区中。
6.根据权利要求1所述的超结器件,其特征在于,所述多个沟槽栅结构均位于所述漂移区中的第一导电类型的第一区中。
7.根据权利要求6所述的超结器件,其特征在于,每个第一导电类型的第一区包括所述沟槽栅结构中的至少一个沟槽栅结构。
8.根据权利要求4所述的超结器件,其特征在于,在其同一侧均不存在源区的所述一个或多个沟槽栅结构位于所述漂移区的第一区和第二区的交界处,使得所述一个或多个沟槽栅结构均在所述漂移区的第二区的那一侧不具有源区。
9.根据权利要求8所述的超结器件,其特征在于,位于所述栅电极底部和沟槽底部之间的所述第一电介质层的厚度大于150 nm。
10.根据权利要求8所述的超结器件,其特征在于,位于所述栅电极底部和沟槽底部之间的所述第一电介质层的厚度大于300 nm。
11.根据权利要求1-10中的任一项所述的超结器件,其特征在于,所述第一导电类型是n型并且所述第二导电类型是p型,或者所述第一导电类型是p型并且所述第二导电类型是n型。
12.一种半导体结构,包括:
根据权利要求1-11中的任一项所述的超结器件;
包围所述超结器件的半导体区和形成在所述半导体区上的第二电介质层;
嵌入所述第二电介质层中的栅极滑道;和
嵌入所述第二电介质层中的场板,
其特征在于,
在所述场板和所述半导体区之间的第二电介质层的厚度大于在所述栅极滑道的至少一部分和所述半导体区之间的第二电介质层的厚度。
13.根据权利要求12所述的半导体结构,其特征在于,在所述栅极滑道的一个末端处,所述栅极滑道的至少一部分位于所述半导体区中的沟槽内,并且在所述沟槽内被所述第二电介质层包围。
14.根据权利要求12所述的半导体结构,其特征在于,所述半导体结构还包括位于所述第二电介质层上的栅极焊盘,所述栅极焊盘与所述栅极滑道电连通。
15.根据权利要求12所述的半导体结构,其特征在于,所述场板与所述超结器件的漏电极短接以形成所述半导体结构的终止机构。
16.根据权利要求12所述的半导体结构,其特征在于,所述半导体区由第一导电类型的第一区和第二导电类型的第二区沿所述半导体区的宽度方向交替排列而构成。
17.根据权利要求13所述的半导体结构,其特征在于,在所述栅极滑道的另一个末端和所述半导体区之间的第二电介质层的厚度与在所述场板和所述半导体区之间的第二电介质层的厚度相同。
18.根据权利要求16所述的半导体结构,其特征在于,位于所述半导体区中且在所述栅极滑道下面的所述第二区电连接到所述超结器件的源电极。
19.根据权利要求12所述的半导体结构,其特征在于,在所述栅极滑道的所述至少一部分和所述半导体区之间的第二电介质层的厚度小于150 nm。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英飞凌科技奥地利有限公司,未经英飞凌科技奥地利有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201320675262.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种晶体硅太阳电池的电极
- 下一篇:一种可控硅边缘结构
- 同类专利
- 专利分类