[实用新型]半导体器件有效
| 申请号： | 201320675366.X | 申请日： | 2013-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN203812886U | 公开（公告）日： | 2014-09-03 |
| 发明（设计）人： | A.毛德;U.瓦尔 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/772 | 分类号： | H01L29/772;H01L29/41 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 马丽娜;王洪斌 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 奥地利;AT |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
1.一种半导体器件，包括：
补偿区，其包括p区和n区；
位于所述补偿区上的晶体管单元，所述晶体管单元包括源区、体区、栅电极和层间电介质；以及
布置在层间电介质上的源极金属化层，
其特征在于，所述半导体器件还包括填满穿过源区和体区以及源极金属化层之间的层间电介质形成的接触孔的插塞，以便电连接所述源区和体区以及所述源极金属化层。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述插塞是由多晶硅形成的。
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括在多晶硅和接触孔底部之间的金属硅化物。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述插塞由阻挡材料层和在阻挡材料层上的钨层形成。
5.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述阻挡材料层包括导电陶瓷材料。
6.根据权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，所述导电陶瓷材料包括氮化钛和氮化钽之一。
7.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述钨层的厚度是所述接触孔的宽度的至少一半。
8.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括位于阻挡材料层和接触孔底部之间的金属硅化物。
9.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述插塞在层间电介质的上表面下面凹进。
10.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述插塞具有填充了不同材料的空隙。
11.根据权利要求10所述的半导体器件，其特征在于，所述不同材料包括空气、真空、氧化硅、氮化硅、源极金属以及多孔材料中的一个。
12.根据权利要求11所述的半导体器件，其特征在于，所述多孔材料包括多孔的SiO2。
13.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述插塞为平面接触的形式。
14.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述插塞为凹槽接触的形式。
15.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述栅电极被布置在沟槽中。
16.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括衬底和位于衬底与补偿区之间的缓冲层。
17.根据权利要求16所述的半导体器件，其特征在于，所述缓冲层在其下部的掺杂浓度大于其上部的掺杂浓度。
18.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述n区在其下部的掺杂浓度大于其上部的掺杂浓度。
19.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件是超结器件。
20.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括基本上垂直于所述栅电极的体接触掺杂区。
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