[实用新型]半导体器件有效
| 申请号： | 201320675457.3 | 申请日： | 2013-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN203910806U | 公开（公告）日： | 2014-10-29 |
| 发明（设计）人： | A.毛德;U.瓦尔 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/861 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 王岳;王洪斌 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 奥地利;AT |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
1.一种半导体器件，其特征在于包括：
衬底；
位于所述衬底上的缓冲层；
补偿区，其包括位于所述缓冲层上的p区和n区；以及
位于所述补偿区上的晶体管单元，所述晶体管单元包括源区，本体区和栅极；
其中所述p区和n区的至少一个包括缺陷半导体材料。
2.根据权利要求1所述的半导体器件, 其特征在于所述缓冲层具有为所述晶体管单元的所述缓冲层，所述补偿区和所述源区和本体区的总体厚度的至少25%的厚度。
3.根据权利要求1所述的半导体器件, 其特征在于所述缓冲层具有为所述晶体管单元的所述缓冲层，所述补偿区和所述源区和本体区的总体厚度的至少30%的厚度。
4.根据权利要求1所述的半导体器件, 其特征在于所述缓冲层具有为所述晶体管单元的所述缓冲层，所述补偿区和所述源区和本体区的总体厚度的至少1/3的厚度。
5.根据权利要求1所述的半导体器件, 其特征在于所述缓冲层具有为所述晶体管单元的所述缓冲层，所述补偿区和所述源区和本体区的总体厚度的35% 和 45%之间的厚度。
6.根据权利要求1所述的半导体器件, 其特征在于所述缓冲层具有比所述n区低的掺杂浓度。
7.根据权利要求1所述的半导体器件, 其特征在于所述缓冲层具有朝向衬底增加的掺杂浓度。
8.根据权利要求1所述的半导体器件, 其特征在于所述缓冲层包括所述衬底上的第一子层和第一子层上的第二子层，并且第二子层的掺杂高于第一子层的掺杂。
9.根据权利要求1所述的半导体器件, 其特征在于所述缓冲层包括所述衬底上的第一部分和第一部分上的第二部分，第一部分具有朝向衬底增加的掺杂浓度。
10.根据权利要求1所述的半导体器件, 其特征在于所述缺陷半导体材料包括金属元素。
11.根据权利要求10所述的半导体器件, 其特征在于所述金属元素是铂，金或铜。
12.根据权利要求1所述的半导体器件, 其特征在于所述半导体器件是超结器件。
13.根据权利要求11所述的半导体器件, 其特征在于所述半导体器件中的金属元素的浓度在1·1016/cm3以下。
14.根据权利要求11所述的半导体器件, 其特征在于所述半导体器件中的金属元素的浓度在1·1015/cm3以下。
15.根据权利要求11所述的半导体器件, 其特征在于所述半导体器件中的金属元素的浓度在1·1014/cm3以下。
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