[实用新型]一种沟槽型快恢复二极管有效
| 申请号： | 201320677023.7 | 申请日： | 2013-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN203607417U | 公开（公告）日： | 2014-05-21 |
| 发明（设计）人： | 吴迪;刘钺杨;何延强;包海龙;刘隽;张宇;凌平 | 申请（专利权）人： | 国家电网公司;国网上海市电力公司;国网智能电网研究院 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/861 |
| 代理公司： | 北京安博达知识产权代理有限公司 11271 | 代理人： | 徐国文 |
| 地址： | 100031 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 恢复 二极管 | ||
【权利要求书】：
1.一种沟槽型快恢复二极管，所述快恢复二极管包括衬底和P区，所述P区在衬底上形成，共同构成PN结，其特征在于，在所述器件表面终端处对称设置有沟槽区，沟槽深度大于PN结深度。
2.如权利要求1所述的沟槽型快恢复二极管，其特征在于，所述衬底采用由上到下依次分布的高阻层N-和衬底重掺N+层组成的外延片，或采用由高阻层N-组成的单晶片；
所述衬底N-层上生长的氧化层厚度为500-1000埃；
在所述氧化层通过物理或化学的方式淀积500-1000埃的氮化硅层。
3.如权利要求1所述的沟槽型快恢复二极管，其特征在于，在沟槽区上生长有8000-15000埃的氧化层。
4.如权利要求3所述的沟槽型快恢复二极管，其特征在于，在所述沟槽区的表面上设置有金属电极。
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