[实用新型]非晶硅薄膜太阳能电池有效
| 申请号： | 201320681110.X | 申请日： | 2013-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN203553184U | 公开（公告）日： | 2014-04-16 |
| 发明（设计）人： | 胡居涛;庄春泉;王勇;邱骏;符政宽 | 申请（专利权）人： | 江苏武进汉能光伏有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0445 | 分类号： | H01L31/0445;H01L31/076;H01L31/0352 |
| 代理公司： | 常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙) 32231 | 代理人： | 徐琳淞 |
| 地址： | 213000 江苏省常州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 非晶硅 薄膜 太阳能电池 | ||
1.一种非晶硅薄膜太阳能电池，包括玻璃基板（1）、电池前电极（2）、硅薄膜太阳能电池（3）和背电极（4）；其特征在于：所述硅薄膜太阳能电池（3）为单结硅薄膜太阳能电池或多结叠层硅薄膜太阳能电池，每结硅薄膜太阳能电池包括依次沉积的P层（31）、I层（32）和N层（33）；所述单结硅薄膜太阳能电池的I层和多结叠层硅薄膜太阳能电池的顶电池的I层采用初晶态非晶硅I-a-Si:H。
2.根据权利要求1所述的一种非晶硅薄膜太阳能电池，其特征在于：所述每结硅薄膜太阳能电池的P层（31）为由P1层（31-1）和P2层（31-2）组成的两层结构；所述P1层（31-1）为沉积在电池前电极（2）上的非晶硅碳层P-a-SiC:H；所述P2层（31-2）为纳米硅碳P-nc-SiC:H。
3.根据权利要求2所述的一种非晶硅薄膜太阳能电池，其特征在于：所述P1层（31-1）到I层（32）之间的带隙变化通过梯度CH4掺杂量获得；所述P1层（31-1）带隙为1.9eV、厚度为10nm；P2层（31-2）厚度为8nm，带隙由1.9eV渐变到为1.75eV。
4.根据权利要求3所述的一种非晶硅薄膜太阳能电池，其特征在于：所述单结硅薄膜太阳能电池的I层和多结叠层硅薄膜太阳能电池的顶电池的I层的厚度为300nm、带隙为1.75eV；所述单结硅薄膜太阳能电池的N层和多结叠层硅薄膜太阳能电池的各结电池的N层为纳米硅材料，带隙为1.8eV、厚度为30nm。
5.根据权利要求4所述的一种非晶硅薄膜太阳能电池，其特征在于：所述背电极（4）采用AZO/Al混合膜，其中AZO厚度70nm；Al膜200nm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
