[实用新型]一种降低磁场强度的磁控溅射镀膜设备靶材结构有效
| 申请号： | 201320681659.9 | 申请日： | 2013-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN203559119U | 公开（公告）日： | 2014-04-23 |
| 发明（设计）人： | 卫金照;赵永刚;刘敬超 | 申请（专利权）人： | 河源市力友显示技术有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 517000 广东省河源*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 降低 磁场强度 磁控溅射 镀膜 设备 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种降低磁场强度的磁控溅射镀膜设备靶材结构，包括长方形靶材基体和多个设置于靶材基体表面的长方形磁铁片，每个磁铁片大小相同，所述靶材基体表面上、下两侧均形成有高阻区，靶材基体表面中部形成有低阻区，其特征在于：所述的上、下两侧高阻区均包括一排靠近靶材基体短边且沿磁铁片长边方向依次等距分布的磁铁片以及相互平行的三排沿磁铁片短边方向依次等距分布的磁铁片，低阻区包括相互平行的三排沿磁铁片长边方向依次等距分布的磁铁片。
2.根据权利要求1所述的降低磁场强度的磁控溅射镀膜设备靶材结构，其特征在于：所述上侧高阻区中的四排磁铁片与下侧高阻区中的四排磁铁片相互对称。
3.根据权利要求1所述的降低磁场强度的磁控溅射镀膜设备靶材结构，其特征在于：所述低阻区中的三排磁铁片长度相等。
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