[实用新型]一种容量为4G×16bit的立体封装NAND FLASH存储器有效
| 申请号： | 201320682907.1 | 申请日： | 2013-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN203746837U | 公开（公告）日： | 2014-07-30 |
| 发明（设计）人： | 王烈洋;叶振荣;黄小虎;蒋晓华;颜军 | 申请（专利权）人： | 珠海欧比特控制工程股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/065 | 分类号： | H01L25/065;H01L23/31;H01L23/495 |
| 代理公司： | 广东秉德律师事务所 44291 | 代理人： | 杨焕军 |
| 地址： | 519080 广东省珠*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 容量 16 bit 立体 封装 nand flash 存储器 | ||
1.一种容量为4G×16bit的立体封装NAND FLASH存储器，其特征在于，包括八个1G×8bit的NAND FLASH芯片，从下至上进行堆叠的一个引线框架层和八个芯片层，引线框架层上设有用于对外连接的引脚，八个NAND FLASH芯片分别一一对应地设于八个芯片层上；所述堆叠的一个引线框架层和八个芯片层经灌封、切割后在周边上露出电气连接引脚，并在外表面设有镀金连接线；镀金连接线将所述一个引线框架层和八个芯片层上露出的电气连接引脚进行相应连接，引线框架层的引脚作为对外接入信号与对外输出信号的物理连接物。
2.根据权利要求1所述的一种容量为4G×16bit的立体封装NAND FLASH存储器，其特征在于，八个NAND FLASH芯片的#RE读信号线、#WE写信号线、#CE片选信号线分别并置；八个NAND FLASH芯片的#WP写保护信号线、ALE地址锁存信号线、CLE命令使能信号线分别对应复合；其中四个NAND FLASH芯片的数据线复合作为高八位数据线，另外四个NAND FLASH芯片的数据线复合作为低八位数据线。
3.根据权利要求1或2所述的一种容量为4G×16bit的立体封装NAND FLASH存储器，其特征在于，所述NAND FLASH芯片均采用存储容量为1Gb、数据总线宽度为8位、48个引脚的封装NAND FLASH芯片。
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