[实用新型]超薄晶片研磨盘

权利要求书

1.一种超薄晶片研磨盘，其特征在于，包括一研磨盘盘体，该研磨盘盘体的周边设置有内齿型的外圈齿轮，该研磨盘盘体上设有一与其同心设置的外齿型的内圈齿轮，该外圈齿轮及内圈齿轮的中间位置处均设有一贯穿设置的轴孔；所述研磨盘盘体上沿内圈齿轮外侧掏设有一圆环形凹槽，该圆环形凹槽内设有数道导流槽。

2.如权利要求1所述的超薄晶片研磨盘，其特征在于，所述研磨盘盘体采用铁质材料制作而成。

3.如权利要求1所述的超薄晶片研磨盘，其特征在于，所述研磨盘盘体采用合成塑料制作而成。

4.如权利要求1所述的超薄晶片研磨盘，其特征在于，所述研磨盘盘体厚度为23mm-25mm，内圈齿轮高度为19mm-25mm，圆环形凹槽的深度为4mm-7mm。

5.如权利要求4所述的超薄晶片研磨盘，其特征在于，所述研磨盘盘体厚度为24mm，内圈齿轮高度为22mm，圆环形凹槽的深度为6mm。

6.如权利要求1所述的超薄晶片研磨盘，其特征在于，所述研磨盘盘体的直径为370mm-390mm，内圈齿轮直径为200mm-205mm，轴孔的直径为138mm-142mm，圆环形凹槽的内径与内圈齿轮直径相同，该圆环形凹槽的外径为350mm-355mm。

7.如权利要求6所述的超薄晶片研磨盘，其特征在于，所述研磨盘盘体的直径为385mm，内圈齿轮直径为204mm，轴孔的直径为139mm，圆环形凹槽的内径与内圈齿轮直径相同，该圆环形凹槽的外径为352mm。

8.如权利要求1所述的超薄晶片研磨盘，其特征在于，所述导流槽包括沿圆环形凹槽的圆心向外延伸设置的数道环形槽，以及沿圆环形凹槽的半径方向设置的数道径向槽，该环形槽和径向槽之间相连接设置。

9.如权利要求1所述的超薄晶片研磨盘，其特征在于，所述圆环形凹槽上设有一研磨层，所述数道导流槽设于该研磨层上，该导流槽包括沿圆环形凹槽的圆心向外延伸设置的数道环形槽，以及沿圆环形凹槽的半径方向设置的数道径向槽，该环形槽和径向槽之间相连接设置。

10.如权利要求8或9任一项所述的超薄晶片研磨盘，其特征在于，所述数道环形槽呈同心圆设置，每道环形槽之间均等距离设置，所述数道径向槽之间呈等距离设置，该环形槽和径向槽的深度为2.5mm-2.8mm。