[实用新型]一种闪光灯控制电路有效

专利信息
申请号: 201320684475.8 申请日: 2013-10-30
公开(公告)号: CN203632949U 公开(公告)日: 2014-06-04
发明(设计)人: 陈红 申请(专利权)人: 杭州恒力科技实业有限公司
主分类号: H05B41/32 分类号: H05B41/32
代理公司: 北京联瑞联丰知识产权代理事务所(普通合伙) 11411 代理人: 高文迪
地址: 310015 浙江省杭*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 闪光灯 控制电路
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及闪光灯控制技术领域,特别涉及一种闪光灯控制电路。

背景技术

请参照附图1是现有闪光灯控制电路的常用电路原理框图,包括整流桥U1、闪光灯管E1、总控电路单元A1、闪光灯管触发电路单元A3,电路中还包括与闪光灯管E1并联的储能电容C1、限流电阻R1,电路中对储能电容C1的充电由电子开关A3控制,A3受控于总控电路单元A1,其中,输入触发信号进入总控电路单元A1,总控电路单元A1根据触发信号发出指令信号控制电子开关A3开合,充电电流的最大值由电阻R1限制。该控制电路存在以下缺点:1)由于充电过程是指数形式的,因而充电时间较长。2)保护电阻R1需承受较大的充电电流,故要选用大体积的大功率电阻(通常需要30-50瓦),因此在限流电阻R1上能耗较大,不利于节能。

实用新型内容

本实用新型目的在于提供一种闪光灯控制电路,以解决现有技术中的闪光灯控制电路存在着由于充电过程是指数形式的,造成储能电容充电时间较长,以及保护电阻R1需承受较大的充电电流,需要选用大体积的大功率电阻(通常需要30-50瓦),导致在保护电阻R1上能耗较大,不利于节能的技术性问题。

本实用新型的技术方案是这样实现的:

一种闪光灯控制电路,包括闪光灯管、储能电容、电子开关、整流电路单元、触发电路单元以及总控电路单元,所述整流电路单元输出端连接闪光灯管,闪光灯管与储能电容并联,其还包括恒流控制单元以及电感,所述总控电路单元的一路输出连接恒流控制单元另一路输出连接触发电路单元,触发电路单元的输出连接闪光灯管,恒流控制单元的输出连接电子开关的输入端,电子开关的输出端连接电感与续流二极管,电感的另一端连接储能电容的负极。

优选地,所述恒流控制单元连接一充电电流检测单元,所述充电电流检测单元为一电阻元件,所述电阻元件连接电子开关。

优选地,所述续流二极管与电感连接处连接有用于补充储能电容漏电损失的下拉电阻。

优选地,所述总控电路单元的中央控制器采用单片机STC11F04E。

优选地,所述恒流控制单元的控制芯片采用UC3842N。

所述电子开关可以是IGBT管、MOS管或晶体管中的任意一种。

与现有技术相比,本实用新型有以下有益效果:

本实用新型的闪光灯控制电路,优化了原技术的电路结构,增加了恒流控制单元,缩短了储能电容的充电时间,去除了电路结构中的限流电阻,使得电路能耗减小。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为现有闪光灯控制电路原理框图;

图2为本实用新型的闪光灯控制电路原理框图;

图3为本实用新型的闪光灯控制电路原理图。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。

请参照附图2,本实用新型的一种闪光灯控制电路,其中电路结构为:包括闪光灯管1、储能电容2、电子开关3、整流电路单元4、触发电路单元5以及总控电路单元6,所述整流电路单元4输出端连接闪光灯管1,闪光灯管1与储能电容2并联,其还包括恒流控制单元7以及电感8,所述总控电路单元6的一路输出连接恒流控制单元7另一路输出连接触发电路单元5,触发电路单元5的输出连接闪光灯管1,恒流控制单元7的输出连接电子开关3的输入端,电子开关3的输出端连接电感8与续流二极管9,电感8的另一端连接储能电容2的负极。其中,所述恒流控制单元7连接一充电电流检测单元10,所述充电电流检测单元为一电阻元件,所述电阻元件连接电子开关所述电阻元件的另一端接地。所述续流二极管9与电感8连接处连接有用于补充储能电容2漏电损失的下拉电阻11;另外,所述总控电路单元6的中央控制器采用单片机STC11F04E,所述恒流控制单元7的控制芯片采用UC3842N;所述电子开关可以是IGBT管、MOS管或晶体管中的任意一种。

实施例

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