[实用新型]一种碳化硅外延生长装置有效
| 申请号： | 201320684806.8 | 申请日： | 2013-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN203559154U | 公开（公告）日： | 2014-04-23 |
| 发明（设计）人： | 钮应喜;杨霏;于坤山 | 申请（专利权）人： | 国家电网公司;国网智能电网研究院 |
| 主分类号： | C30B25/14 | 分类号： | C30B25/14;C30B29/36 |
| 代理公司： | 北京安博达知识产权代理有限公司 11271 | 代理人： | 徐国文 |
| 地址： | 100031 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 外延 生长 装置 | ||
1.一种碳化硅外延生长装置，所述装置为圆柱形，其反应腔由内至外依次设置石墨支撑层、石墨软毡、石英壁和加热线圈，其特征在于：并排设置的L型补气管平行于所述圆柱形的轴向通过所述石墨软毡并垂直通过所述石墨支撑层且正对石墨支撑层中部。
2.如权利要求1所述的一种碳化硅外延生长装置，其特征在于：所述补气管内壁镀有镀层，所述镀层为碳化硅或碳化钽镀层，厚度为70～100um。
3.如权利要求1所述的一种碳化硅外延生长装置，其特征在于：所述补气管直径为0.5～1cm，由石墨制成。
4.如权利要求3所述的一种碳化硅外延生长装置，其特征在于：所述补气管由高纯石墨制成。
5.如权利要求1所述的一种碳化硅外延生长装置，其特征在于：所述补气管进气端装有气体流量计。
6.如权利要求1所述的一种碳化硅外延生长装置，其特征在于：所述补气管的出气嘴距碳化硅衬底4～11cm。
7.如权利要求1所述的一种碳化硅外延生长装置，其特征在于：所述圆柱形装置的截面半径为18～30cm，所述石英壁厚度为4～8mm。
8.如权利要求1所述的一种碳化硅外延生长装置，其特征在于：所述石墨支撑层厚度为1.5～2.5cm，所述反应腔的内腔为长方体。
9.如权利要求1所述的一种碳化硅外延生长装置，其特征在于：所述石英壁为多层玻璃结构。
10.如权利要求1所述的一种碳化硅外延生长装置，其特征在于：所述补气管于石墨软毡中，其管壁距离石墨支撑层距离小于其管壁距离石英壁距离。
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