[实用新型]一种新型晶圆承载装置有效
| 申请号： | 201320687868.4 | 申请日： | 2013-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN203562415U | 公开（公告）日： | 2014-04-23 |
| 发明（设计）人： | 凌复华;吴凤丽;国建花 | 申请（专利权）人： | 沈阳拓荆科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/687 |
| 代理公司： | 沈阳维特专利商标事务所(普通合伙) 21229 | 代理人： | 甄玉荃 |
| 地址： | 110179 辽宁省*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 新型 承载 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种新型晶圆承载装置，包括铝加热盘，其特征在于：在所述的铝加热盘外缘镶嵌一个环，环的内部设置一个凹槽，环的凹槽边缘与晶圆的最外圆周下表面直接接触，从而实现对晶圆的支撑，在加热盘中心处，安装一个球，或是在位于同一圆周的盘面上，安装多个均布的球。
2.如权利要求1所述的新型晶圆承载装置，其特征在于：所述环的材质采用铝或陶瓷；上述球的材质采用蓝宝石或铝或陶瓷。
3.如权利要求1所述的新型晶圆承载装置，其特征在于：所述的环与加热盘的接触面是平面，环的上表面靠内侧设有一凹台阶，该凹台阶略高于加热盘的凸台；球的最大高度始终低于环的凹台阶表面。
4.如权利要求2所述的新型晶圆承载装置，其特征在于：所述的环采用铝，该环的表面做硬质阳极化处理。
5.如权利要求2所述的新型晶圆承载装置，其特征在于：所述的球表面镀一层陶瓷，或是表面氟化处理生成一层氟化铝。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
