[实用新型]半导体装置有效
| 申请号： | 201320689210.7 | 申请日： | 2013-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN203659849U | 公开（公告）日： | 2014-06-18 |
| 发明（设计）人： | 牛成玉;A·H·西蒙;T·博洛姆 | 申请（专利权）人： | 意法半导体公司;国际商业机器公司;格罗方德公司 |
| 主分类号： | H01L23/532 | 分类号： | H01L23/532;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;张宁 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：
在电介质层中形成的沟槽；
对所述沟槽进行加衬的第一扩散阻挡层；
对所述沟槽进行加衬的第一保形金属衬垫层；
对所述沟槽进行加衬的第二扩散阻挡层；
对所述沟槽进行加衬的金属种子层；以及
填充所述沟槽的金属填充。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，进一步包括：对所述沟槽进行加衬的第二金属衬垫层，所述第二金属衬垫层在所述第二扩散阻挡层与所述金属种子层之间。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述金属填充的沟槽限定集成电路的互连结构。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，进一步包括：形成在所述金属填充的沟槽上方的电介质帽层。
5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，进一步包括：形成在所述金属填充的沟槽与所述电介质帽层之间的界面处的自对准金属帽。
6.一种半导体装置，其特征在于，包括：
包括沟槽的电介质层；
对所述沟槽进行加衬的夹入式的扩散阻挡和金属衬垫结构；
在所述夹入式的扩散阻挡和金属衬垫结构上方的金属种子层；以及
填充所述沟槽的金属填充；
其中所述夹入式的扩散阻挡和金属衬垫结构包括：夹在第一扩散阻挡层与第二扩散阻挡层之间的保形金属衬垫层。
7.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，所述夹入式的扩散阻挡和金属衬垫结构进一步包括：在所述第二扩散阻挡层与所述金属种子层之间的第二金属衬垫层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于意法半导体公司;国际商业机器公司;格罗方德公司，未经意法半导体公司;国际商业机器公司;格罗方德公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
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