[实用新型]一种异质结双极晶体管低功率通道功率放大器

权利要求书

1.一种功率放大器，其特征在于，包括：实现低功率模式的第一通路；所述第一通路包括异质结双极晶体管。

2.根据权利要求1所述的功率放大器，其特征在于，还包括：

与所述第一通路并联连接的第二通路；

通过VM0/VM1模式控制所述第一通路及第二通路的偏置电压，以使所述功率放大器实现高功率模式、中功率模式或者低功率模式的控制电路；所述控制电路分别与所述第一通路及第二通路相连；

分别与所述第一通路及第二通路相连的供电电路；

通直流隔交流或者变换阻抗的第一匹配网络；所述第一匹配网络连接于所述供电电路与所述第一通路或者第二通路之间；

所述第一通路还包括：连接于所述异质结双极晶体管的集电极与所述第一通路输出端之间的第二匹配网络。

3.根据权利要求2所述的功率放大器，其特征在于，所述异质结双极晶体管的基极作为所述第一通路的输入端；所述异质结双极晶体管的基极与所述控制电路相连；所述异质结双极晶体管的集电极与所述供电电路相连；所述异质结双极晶体管的发射极接地；

所述第二通路包括：

输入端作为所述第二通路输入端的驱动级；所述驱动级的供电端与所述供电电路相连；所述驱动级的控制端与所述控制电路相连；

输入端与所述驱动级输出端相连的第一功率级；所述第一功率级的供电端与所述供电电路相连；所述第一功率级的控制端与所述控制电路相连；

输入端与所述第一功率级输出端相连的第二功率级；所述第二功率级的供电端与所述第一匹配网络相连；所述第二功率级的控制端与所述控制电路相连；所述第二功率级的输出端为所述第二通路的输出端。

4.根据权利要求3所述的功率放大器，其特征在于，所述第一通路还包括：

连接于所述第一通路输入端与所述异质结双极晶体管控制端之间的第一开关；

连接于所述第二匹配网络与所述第一通路输出端之间的第二开关；

所述第二通路还包括：

连接于所述第二通路输入端与所述驱动级输入端之间的第三开关。

5.根据权利要求3所述的功率放大器，其特征在于，所述第一通路还包括：

连接于所述第一通路输入端与所述异质结双极晶体管控制端之间的第三匹配网络；

所述第二通路还包括：

连接于所述第二通路输入端与所述驱动级输入端之间的第四匹配网络；

连接于所述第一功率级输出端与所述第二功率级输入端之间的第五匹配网络；

所述功率放大器还包括：

与所述第一通路及第二通路并联输出端相连的第六匹配网路。

6.根据权利要求2所述的功率放大器，其特征在于，所述第一通路还包括：

输入端与所述异质结双极晶体管集电极相连的第一功率级；所述第一功率级供电端与所述供电电路相连；所述第一功率级的控制端与所述控制电路相连；

所述异质结双极晶体管的基极作为所述第一通路的输入端；所述异质结双极晶体管的基极与所述控制电路相连；所述异质结双极晶体管的集电极与所述第一匹配网络相连；所述异质结双极晶体管的发射极接地。

7.根据权利要求6所述的功率放大器，其特征在于，所述第二通路包括：

输入端作为所述第二通路输入端的驱动级；所述驱动级的供电端与所述供电电路相连；所述驱动级的控制端与所述控制电路相连；

输入端与所述驱动级输出端相连的第二功率级；所述第二功率级的供电端与所述供电电路相连；所述第二功率级的控制端与所述控制电路相连；所述第二功率级的输出端为所述第二通路的输出端。