[实用新型]一种具有均压保护功能的三电平变频器功率单元有效

专利信息
申请号: 201320704717.5 申请日: 2013-11-11
公开(公告)号: CN203596737U 公开(公告)日: 2014-05-14
发明(设计)人: 张福贵;宋青东;张超;赵辉;姬忠震;陈海亮 申请(专利权)人: 焦作市明株自动化工程有限责任公司
主分类号: H02M1/088 分类号: H02M1/088
代理公司: 郑州中原专利事务所有限公司 41109 代理人: 霍彦伟;李想
地址: 454000 河南*** 国省代码: 河南;41
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摘要:
搜索关键词: 一种 具有 保护 功能 电平 变频器 功率 单元
【说明书】:

技术领域

本实用新型涉及一种变频器功率单元,具体地说是涉及一种具有均压保护功能的三电平变频器功率单元。

背景技术

中点钳位式三电平变频器的原理简图如图1所示,整流部分由3个功率单元(U相、V相和W相)组成,通过整流算法将三相交流电转换成直流电,并由直流环节的两个电容进行滤波,电容中间引出中性点,与整流和逆变功率单元相连,从而使直流环节有三个电平,之后逆变部分再将直流转换成三相交流电。

其中原理图的P点电压值为+Udc/2;O点电压值为0V;N点电压值为-Udc/2。

传统的功率单元如图2所示, 它的控制逻辑有三种:一是V1和V2开通,其余关断,此时交流端与P端通过IGBT导通,故交流端输出电压为+Udc/2;二是V3和V4开通,其余关断,此时交流端与N端通过IGBT导通,故交流端输出电压为-Udc/2;三是V2和V3开通,其余关断,此时交流端通过VD1和V2(或者VD2和V3)和O端导通,故交流端输出电压为O。当功率单元在第一种和第二种情况下时,有两个串联的IGBT承受直流母线上的电压Udc。由于每个IGBT特性不完全一致,会导致分压不均,影响IGBT长期稳定运行特性。

发明内容

为了解决上述问题,本公司在传统的功率单元的基础上设计一种IGBT均压保护电路,当功率单元工作在第一种和第二种情况下时,可以使两个串联的IGBT均压一致,提高IGBT的长期工作稳定性。

为解决上述问题,本实用新型采用以下技术方案:

一种具有均压保护功能的三电平变频器功率单元,它包括串联在一起的四个IGBT管,其中第一IGBT管与第二IGBT管之间的连接点为A点,其中第三IGBT管与第四IGBT管之间的连接点为B点;它还包括一个中性O点,中性O点与A点之间连接第一二极管,中性O点与B点之间连接第二二极管,它还包括一个钳位电阻,所述的钳位电阻与第一二极管、第二二极管并联连接。

采用上述技术方案的本实用新型,功率单元中添加IGBT均压保护电阻有效解决了串联的两个IGBT分压不均的问题,减少了IGBT因分压不均造成损坏的机率,降低了变频器发生故障的概率。

附图说明

图1为三电平变频器原理简图。

图2为传统的功率单元。

图3为改进后的功率单元。

具体实施方式

如图3所示,一种具有均压保护功能的三电平变频器功率单元,它包括串联在一起的四个IGBT管,其中第一IGBT管V1与第二IGBT管V2之间的连接点为A点,其中第三IGBT管V3与第四IGBT管V4之间的连接点为B点;它还包括一个中性O点,中性O点与A点之间连接第一二极管VD1,中性O点与B点之间连接第二二极管VD2,它还包括一个钳位电阻R1,所述的钳位电阻R1与第一二极管VD1、第二二极管VD2并联连接。

本实用新型与传统的功率单元相比多了一个钳位电阻R1,如图3所示。当功率单元工作在第一种情况,第一IGBT管V1和第二IGBT管V2开通,第三IGBT管V3和第四IGBT管V4关断时,P点电压为+Udc/2,N点电压为-Udc/2,串联的第三IGBT管V3和第四IGBT管V4承受直流母线上的电压Udc。因为O点电压为0V,A点电压为+Udc/2,所以A和O点间可以通过钳位电阻R1和第二IGBT管V2构成通路(如图3中单箭头所示),从而使B点电压通过第二IGBT管V2被钳位成与O点等电势,均为0V。这样第三IGBT管V3和第四IGBT管V4被有效均压,均承受Udc/2的电压。

当功率单元工作在第二种情况,第三IGBT管V3和第四IGBT管V4开通,第一IGBT管V1和第二IGBT管V2关断时,P点电压为+Udc/2,O点电压为-Udc/2,串联的第一IGBT管V1和第二IGBT管V2承受直流母线上的电压Udc。因为O点电压为0V,B点电压为+Udc/2,所以O和B点间通过钳位R1和第一二极管VD1构成通路(如图3中双箭头所示),从而使A点电压通过第一二极管VD1被钳位成与O点等电势,均为0V。这样第一IGBT管V1和第二IGBT管V2被有效均压,均承受Udc/2的电压  。

如上所述,增加IGBT均压保护电路后可以有效保证串联的两个IGBT分压一致,防止IGBT分压不均造成的IGBT损坏。

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