[实用新型]磁路悬浮式扬声器有效

专利信息
申请号: 201320705132.5 申请日: 2013-11-08
公开(公告)号: CN203645820U 公开(公告)日: 2014-06-11
发明(设计)人: 白锦苍;黄作建 申请(专利权)人: 惠阳东亚电子制品有限公司
主分类号: H04R9/06 分类号: H04R9/06
代理公司: 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 代理人: 蒋剑明
地址: 516226 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 磁路 悬浮 扬声器
【说明书】:

技术领域

本实用新型涉及扬声器技术领域,具体涉及一种将磁路设置为悬浮式的扬声器。

背景技术

公知的,扬声器作为常用的一种电声换能器件,对于音响效果而言,是十分重要的电子元器件。现有的扬声器主要由磁路、振动系统以及用于固定振动系统的悬吊系统组成;其中振动系统常采用扬声器线圈以及位于扬声器线圈上方的振膜,悬吊系统主要采用位于扬声器线圈顶部的悬边,扬声器线圈可在磁路形成的磁隙中运动。上述扬声器的工作原理为,通过向扬声器线圈通以附加有声音信号的交流电流,从而使扬声器线圈在磁隙中沿上下方向振动,该扬声器线圈的上下振动传递给其上方的振膜,振膜使空气振动从而重现声音。

但是,现有扬声器在实际使用中,却存在诸多缺陷。例如,磁路直接被固定在盆架上,只采用了振膜和扬声器线圈这单一的振动系统;而受限于振动系统的质量过小,因此,扬声器的现有结构造成谐振频率降低的难度增加,故不能完全再现低频信号。现有扬声器中,振动系统质量增加受限制的原因在于,首先,悬吊系统太软,不能完全支撑大质量振动系统进行连续垂直运动;再者,振动系统质量过大会降低此振动系统的灵敏度。

实用新型内容

本实用新型的目的是克服现有技术中的不足之处,提供一种能产生低振谐频率的磁路悬浮式扬声器。

本实用新型的目的是通过以下技术方案来实现的:

一种磁路悬浮式扬声器,包括悬边、振膜、扬声器线圈、磁路以及扬声器盆架,位于振膜下方的扬声器线圈和振膜均与悬边连接,所述扬声器线圈还落入磁路形成的磁隙中,所述扬声器线圈的两侧固定连接有主阻尼器,所述磁路底面铺设有支撑磁路的副阻尼器,所述副阻尼器的两端固定在扬声器盆架上。

发明人结合低振谐频率的产生原理,主要构思在于,通过提高振动系统的质量以解决现有扬声器无法再现低振谐频率的不足;但,发明人考虑到现有技术中单纯增加扬声器线圈质量带来的困扰,创新性地通过增加一套被动声辐射组件来解决此问题。结合上述技术方案,发明人在磁路下铺设副阻尼器,磁路与副阻尼器就构成了悬浮式的被动声辐射组件,而磁路本身质量大,因此就提高了振动系统的质量,通过被动声辐射组件解决了无法再现低振谐频率的问题。

本发明的创新之处还在于,发明人在扬声器线圈两侧设置了主阻尼器,主阻尼器与悬边构成了新的悬吊系统,解决了悬边支撑力不足的技术问题。

作为改进技术方案,所述主阻尼器呈波浪状。

作为进一步改进技术方案,所述副阻尼器包括与磁路底部匹配的的承接部、与承接部连接并呈波浪状的支撑部以及与支撑部连接的固定端,所述固定端被压于扬声器盆架的底部。

本实用新型相比现有技术具有以下优点及有益效果:

1.本实用新型能产生低振谐频率,提升扬声器的低频再现性能;

2.本实用新型的磁路在低频共振,有利于磁路散热,使扬声器线圈温度降低,降低因温度上升造成的输出功率压缩;

3.本实用型副阻尼器的特殊结构设计,使得磁路处于悬浮状态,提高发出低振谐频率的质量;

4.本实用新型结构简单,便于推广实现。

附图说明

图1为本实用新型磁路悬浮式扬声器的剖面图。

具体实施方式

下面结合实施例及附图对本实用新型作进一步详细的描述,但本实用新型创造的实施方式不限于此。

实施例

如图1所示,本实用新型提供一种磁路悬浮式扬声器,包括悬边4、振膜3、扬声器线圈2、磁路1以及扬声器盆架7,位于振膜3下方的扬声器线圈2和振膜3均与悬边4连接,扬声器线圈2还落入磁路1形成的磁隙中,扬声器线圈2的两侧固定连接有主阻尼器5,磁路1底面铺设有支撑磁路1的副阻尼器6,副阻尼器6的两端固定在扬声器盆架7上。

具体的,主阻尼器5呈波浪状;副阻尼器6包括与磁路底部匹配的的承接部、与承接部连接并呈波浪状的支撑部以及与支撑部连接的固定端,固定端被压于扬声器盆架7的底部。

本实施例中磁路悬浮式扬声器的具体工作原理如下:

置于磁路1磁隙内的扬声器线圈2通电后,在磁场作用下进行垂直运动,从而驱动位于其上方的振膜3辐射声音,而当振膜3振动时,驱动被动声辐射组件共振,发出低振谐频率。其中,主阻尼器5和悬边4构成主悬吊系统,支撑扬声器线圈2在垂直方向运动;磁路1由副阻尼器6支撑并构成被动声辐射组件,被动声辐射组件悬浮于扬声器盆架7上。

以上所述实施例仅表达了本实用新型的实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对本实用新型专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本实用新型的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本实用新型的保护范围。因此,本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。

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