[实用新型]LED芯片

说明书

技术领域

本实用新型涉及发光元件技术领域，尤其涉及一种LED芯片。

背景技术

随着LED（Light Emitting Diode，发光二极管）照明技术的日益发展，LED在人们日常生活中的应用也越来越广泛。

LED的发光是利用正极的电流到达负极所完成，电流会以电阻最小的路线由正极到达负极，一般电阻值决定于电流路线的远近，正极到负极越近则电阻值越小、正极到负极越远则电阻就越大。然而，现有LED中的电极通常为金属线状，这使得单点的一个电流从正极进入负极，并以正极到负极给电流最近的距离最亮，其它位置将由于距离金属线较远而电阻较大、相对较暗，从而存在电流密度不均匀、导致发光不均匀的问题。

实用新型内容

技术问题

有鉴于此，本实用新型要解决的技术问题是，如何使得LED的发光尽量均匀。

解决方案

为了解决上述问题，根据本实用新型一实施例，提供了一种LED芯片，其包括：衬底；第一导电型半导体层，位于所述衬底的正面；发光层，位于所述第一导电型半导体层的正面；第二导电型半导体层，位于所述发光层的正面；反射层，位于所述第二导电型半导体层的正面；多个第一电极孔，各自延伸穿过所述反射层、所述第二导电型半导体层和所述发光层；多个第二电极孔，各自延伸穿过所述反射层；第一电极，至少部分位于所述反射层的正面，经由所述第一电极孔与所述第一导电型半导体层电性接触；第二电极，至少部分位于所述反射层的正面，经由所述第二电极孔与所述第二导电型半导体层电性接触；以及隔离层，位于所述反射层的正面，用以将所述第一电极与所述第二电极绝缘隔离，其中，在所述反射层的正面上，所述多个第一电极孔呈M行N列的矩阵式分布，M为大于或等于1的整数，N为大于或等于2的整数，各行所述第一电极孔在所述反射层的正面等间距分布，各列所述第一电极孔在所述反射层的正面等间距分布，围绕一个所述第一电极孔的至少两个所述第二电极孔均匀分布并且所述至少两个所述第二电极孔在所述反射层的正面的垂直投影到被围绕的所述第一电极孔在所述反射层的正面的垂直投影的距离相同。

对于上述LED芯片，在一种可能的实现方式中，各行所述第一电极孔在所述反射层的正面的垂直投影的中心在一条直线上，各列所述第一电极孔在所述反射层的正面的垂直投影的中心在一条直线上。

对于上述LED芯片，在一种可能的实现方式中，所述第一电极包括：填充各所述第一电极孔的电极材料，以及将填充位于第二电极区内的第一电极孔中的电极材料连接至位于第一电极区内的第一电极孔中的电极材料的引线，其中，所述第一电极区是指所述第一电极在所述反射层的正面的存在区域，所述第二电极区是指所述第二电极在所述反射层的正面的存在区域；所述第二电极包括：填充各所述第二电极孔的电极材料，以及使填充各所述第二电极孔的电极材料避开各所述第一电极孔和所述引线而相互连接的部分。

对于上述LED芯片，在一种可能的实现方式中，所述多个第一电极孔在所述反射层的正面的垂直投影的面积总和相对于所述反射层的正面的面积的比值不低于1%；所述多个第二电极孔在所述反射层的正面的垂直投影的面积总和相对于所述反射层的正面的面积的比值不低于1%。

对于上述LED芯片，在一种可能的实现方式中，还包括导电层，所述导电层位于所述第二导电型半导体层和所述反射层之间，并且所述第一电极孔延伸穿过所述导电层。

对于上述LED芯片，在一种可能的实现方式中，在所述导电层、所述第一电极和所述第二电极至少之一上形成有保护层。

对于上述LED芯片，在一种可能的实现方式中，还包括绝缘保护膜，所述绝缘保护膜覆盖该LED芯片的所有侧面、而仅暴露所述第一电极和所述第二电极。

有益效果

通过使围绕一个所述第一电极孔的至少两个所述第二电极孔均匀分布，其中，第一电极孔用以使第一电极与第一导电型半导体层电性连接，第二电极孔用以使第二电极与第二导电型半导体层电性连接，根据本实用新型实施例的LED芯片能够使得LED芯片中至少部分正电极到负电极的距离一致、至少部分正电极到负电极的电流岁流经的电阻一致，从而与现有技术相比，能够提高电流密度的均匀性、发光的均匀性。

根据下面参考附图对示例性实施例的详细说明，本实用新型的其它特征及方面将变得清楚。

附图说明