[实用新型]高效RFID整流器及整流器单元

权利要求书

1.高效RFID整流器，包括n级整流器单元，n为大于等于1的自然数；其特征在于：第一级整流器单元（1）输出端接第二级整流器单元（2）的输入端，第二级整流器单元（2）的输出端连接第三级整流器单元（3）的输入端；依次类推，第n-1级整流器单元（N-1）输出端接第n级整流器单元（N）的输入端；每级整流器单元的射频输入端均相连接；并且，每级整流器单元均包括第一、第二自举电路、第四、第五整流场效应管、隔直电容（C₅）和储能电容（C₂）；第一、第二自举电路分别为第四、第五整流场效应管的栅极提供直流偏置；第四整流场效应管（M₄）的衬底和第五整流场效应管（M₅）的源极接整流器单元输出端（V_DC^／），并通过储能电容（C₂）接地；第五整流场效应管（M₅）的衬底和第四整流场效应管（M₄）的源极接整流器单元输入端（Vi^／）；第四、第五整流场效应管的漏极均通过隔直电容（C₅）接整流器单元射频输入端（V_RF^／）。

2.根据权利要求1所述的高效RFID整流器，其特征在于：第一自举电路包括场效应管一、六、第六隔直电容（C₆）和第三自举电容（C₃）；场效应管一（M₁）的栅极和场效应管六（M₆）的漏极均接整流器单元输入端（Vi^／），场效应管六（M₆）的栅极和场效应管一（M₁）的源极同时连接第四整流场效应管（M₄）的栅极，并通过第三自举电容（C₃）接整流器单元输入端（Vi^／），场效应管一（M₁）的漏极和场效应管六（M₆）的源极均通过第六隔直电容（C₆）接整流器单元射频输入端（V_RF^／）；

第二自举电路包括场效应管二、三、第一隔直电容（C₁）和第四自举电容（C₄）；场效应管二（M₂）的栅极和场效应管三（M₃）的源极均接整流器单元输出端（V_DC^／），场效应管三（M₃）的栅极和场效应管二（M₂）的漏极同时连接第五整流场效应管（M₅）的栅极，并通过第四自举电容（C₅）接整流器单元输出端（V_DC^／），场效应管二（M₂）的源极和场效应管三（M₃）的漏极均通过第一隔直电容（C₁）接整流器单元射频输入端（V_RF^／）。

3.根据权利要求1或2所述的高效RFID整流器，其特征在于：n级整流器单元，n取六。

4.高效RFID整流器单元，其特征在于：该整流器单元包括第一、第二自举电路、第四、第五整流场效应管、隔直电容（C₅）和储能电容（C₂）；第一、第二自举电路分别为第四、第五整流场效应管的栅极提供直流偏置；第四整流场效应管（M₄）的衬底和第五整流场效应管（M₅）的源极接整流器单元输出端（V_DC^／），并通过储能电容（C₂）接地；第五整流场效应管（M₅）的衬底和第四整流场效应管（M₄）的源极接整流器单元输入端（Vi^／）；第四、第五整流场效应管的漏极均通过隔直电容（C₅）接整流器单元射频输入端（V_RF^／）。

5.根据权利要求4所述的高效RFID整流器单元，其特征在于：第一自举电路包括场效应管一、六、第六隔直电容（C₆）和第三自举电容（C₃）；场效应管一（M₁）的栅极和场效应管六（M₆）的漏极均接整流器单元输入端（Vi^／），场效应管六（M₆）的栅极和场效应管一（M₁）的源极同时连接第四整流场效应管（M₄）的栅极，并通过第三自举电容（C₃）接整流器单元输入端（Vi^／），场效应管一（M₁）的漏极和场效应管六（M₆）的源极均通过第六隔直电容（C₆）接整流器单元射频输入端（V_RF^／）；

第二自举电路包括场效应管二、三、第一隔直电容（C₁）和第四自举电容（C₄）；场效应管二（M₂）的栅极和场效应管三（M₃）的源极均接整流器单元输出端（V_DC^／），场效应管三（M₃）的栅极和场效应管二（M₂）的漏极同时连接第五整流场效应管（M₅）的栅极，并通过第四自举电容（C₅）接整流器单元输出端（V_DC^／），场效应管二（M₂）的源极和场效应管三（M₃）的漏极均通过第一隔直电容（C₁）接整流器单元射频输入端（V_RF^／）。