[实用新型]串行存储器芯片容量扩充结构有效
| 申请号： | 201320707645.X | 申请日： | 2013-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN203644397U | 公开（公告）日： | 2014-06-11 |
| 发明（设计）人： | 王楠;张爱东;童红亮 | 申请（专利权）人： | 无锡普雅半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C7/10 | 分类号： | G11C7/10 |
| 代理公司： | 无锡盛阳专利商标事务所(普通合伙) 32227 | 代理人： | 顾吉云 |
| 地址： | 214102 江苏省无锡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 串行 存储器 芯片 容量 扩充 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种串行存储器芯片容量扩充结构，其特征在于，其包括至少两片相同容量的晶片，每片所述晶片的电源VCC和地VSS分别通过总线连接实现并联，每片所述晶片的其他端口分别通过总线对应连接实现并联。
2.根据权利要求1所述的一种串行存储器芯片容量扩充结构，其特征在于，每片所述晶片的电源VCC和地VSS分别通过金属层总线连接实现并联。
3.根据权利要求1所述的一种串行存储器芯片容量扩充结构，其特征在于，每片所述晶片的其他端口分别通过金属层总线对应连接实现并联。
4.根据权利要求2或3所述的一种串行存储器芯片容量扩充结构，其特征在于，所述金属层为金属掩膜板。
5.根据权利要求1所述的一种串行存储器芯片容量扩充结构，其特征在于，每片所述晶片通过内部地址的修改分别设定成不同的芯片，包括一片主芯片和至少一片从芯片。
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