[实用新型]高压晶体管的衬底驱动器和高压晶体管开关系统

权利要求书

1.一种用于高压晶体管的衬底驱动器，所述高压晶体管被配置为在低阻抗状态下，将输入端子与输出端子耦合，并且被配置为在高阻抗状态下，将所述输入端子与所述输出端子隔离，所述衬底驱动器包括： 

输出端，其被配置为耦合到所述高压晶体管的衬底； 

提取电路，其被配置为当选通门开关处于高阻抗状态时，将所述高压晶体管的衬底耦合到所述输入端子处的输入电压或所述输出端子处的输出电压；以及 

旁路电路，其被配置为当所述高压晶体管处于低阻抗状态时，将所述衬底驱动器的输出端耦合到所述输出电压。 

2.根据权利要求1所述的衬底驱动器，其中，所述提取电路包括： 

第一晶体管开关，所述第一晶体管开关包括栅极节点、第一和第二开关节点，其中，所述第一晶体管开关被配置为在所述第一晶体管开关的第一开关节点处接收所述输入电压； 

第二晶体管开关，所述第二晶体管开关包括栅极节点、第一和第二开关节点，其中，所述第二晶体管开关被配置为在所述第二晶体管开关的第一开关节点处接收所述输出电压； 

第一限流电阻器，其被配置为将所述第一晶体管开关的第一开关节点耦合到所述第二晶体管开关的栅极节点；以及 

第二限流电阻器，其被配置为将所述第二晶体管开关的第一开关节点耦合到所述第一晶体管开关的栅极节点。 

3.根据权利要求2所述的衬底驱动器，其中，所述提取电路包括第一齐纳二极管，所述第一齐纳二极管具有阴极和阳极，所述第一齐纳二极管的阴极耦合到所述第一晶体管开关的栅极节点，所述第一齐纳二极管的阳极耦合到所述第一晶体管开关的第二开关节点。 

4.根据权利要求3所述的衬底驱动器，其中，所述提取电路包括：第二齐 纳二极管，所述第二齐纳二极管具有阴极和阳极，所述第二齐纳二极管的阴极耦合到所述第二晶体管开关的栅极节点，所述第二齐纳二极管的阳极耦合到所述第二晶体管开关的第二开关节点。 

5.根据权利要求2所述的衬底驱动器，其中，所述第一晶体管开关包括：第一横向扩散晶体管和第二横向扩散晶体管，所述第一横向扩散晶体管和第二横向扩散晶体管串联耦合，其中，所述第一晶体管开关的所述第一横向晶体管的栅极与所述第一晶体管开关的所述第二横向晶体管的栅极在所述第一晶体管开关的栅极节点处耦合在一起。 

6.根据权利要求2所述的衬底驱动器，其中，所述第二晶体管开关包括：第一横向扩散晶体管和第二横向扩散晶体管，所述第一横向扩散晶体管和第二横向扩散晶体管串联耦合，其中，所述第二晶体管开关的所述第一横向晶体管的栅极与所述第二晶体管开关的所述第二横向晶体管的栅极在所述第二晶体管开关的栅极节点处耦合在一起。 

7.根据权利要求1所述的衬底驱动器，其中，所述旁路电路包括：第一横向扩散晶体管和第二横向扩散晶体管，所述第一横向扩散晶体管和第二横向扩散晶体管串联耦合，所述第一横向扩散晶体管被配置为耦合到所述高压晶体管的开关节点，并且，所述第二横向扩散晶体管被配置为利用所述衬底驱动器的输出端来耦合到所述高压晶体管的衬底。 

8.一种高压晶体管开关系统，包括： 

高压场效应晶体管，其被配置为在低阻抗状态下，将输入端子与输出端子耦合，并且被配置为在高阻抗状态下，将所述输入端子与所述输出端子隔离；以及 

衬底驱动器，其被配置为驱动所述高压场效应晶体管的衬底，所述衬底驱动器包括： 

输出端，其被配置为耦合到所述高压场效应晶体管的衬底； 

提取电路，所述提取电路被配置为当选通门开关处于高阻抗状态时，将所述高压晶体管的衬底耦合到所述输入端子处的输入电压或所述输出 端子处的输出电压；以及 

旁路电路，其被配置为当所述高压晶体管处于低阻抗状态时，将所述衬底驱动器的输出端耦合到所述输出电压。