[实用新型]发光显示装置有效
申请号: | 201320712475.4 | 申请日: | 2013-11-12 |
公开(公告)号: | CN203607414U | 公开(公告)日: | 2014-05-21 |
发明(设计)人: | 刘振宇;龚立伟;林熙乾;卢宏傑 | 申请(专利权)人: | 宸鸿光电科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G02B27/28;G06F3/041 |
代理公司: | 北京泰吉知识产权代理有限公司 11355 | 代理人: | 张雅军;林玖玲 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 显示装置 | ||
1.一种发光显示装置,其特征在于,该发光显示装置包含:
一发光组件,具有一上开口;及
一封装组件,至少部分覆盖该发光组件的该上开口,并包括一增亮抗反射结构,该增亮抗反射结构具有:
一线偏光层,设于间隔该发光组件处,用以将一具有一第一线偏振方向的线偏光通过,并阻隔一具有一第二线偏振方向的线偏光通过,该第二线偏振方向与该第一线偏振方向相互垂直,
一四分之一波板,设于该线偏光层及该发光组件之间,将沿该第一线偏振方向偏振的线偏光及沿一第一圆偏振方向偏振的圆偏光相互转换,或将沿该第二线偏振方向偏振的线偏光及沿一第二圆偏振方向偏振的圆偏光相互转换,该第二圆偏振方向与该第一圆偏振方向相互反向,及
一反射偏光层,设于该四分之一波板及该发光组件之间,用以将一具有该第一圆偏振方向的圆偏光通过,并反射一具有该第二圆偏振方向的圆偏光。
2.根据权利要求1所述的发光显示装置,其特征在于:该封装组件还包括一触控感测结构,该触控感测结构具有一第一触控电极层,该触控感测结构至少设于该线偏光层与该四分之一波板之间、设于该四分之一波板与该反射偏光层之间或设于该反射偏光层与该发光组件之间。
3.根据权利要求2所述的发光显示装置,其特征在于:该触控感测结构还具有一基板,该基板供该第一触控电极层设置其上,且该触控感测结构还至少或设于该线偏光层相反于该四分之一波板的另一侧。
4.根据权利要求2或3所述的发光显示装置,其特征在于:该第一触控电极层具有多个交错间隔排列的楔形或菱形的第一电极列。
5.根据权利要求1所述的发光显示装置,其特征在于:该封装组件还包括一触控感测结构,该触控感测结构具有一第一触控电极层与一第二触控电极层,且该第一触控电极层与该第二触控电极层间隔地设于该四分之一波板、该反射偏光层、该四分之一波板与该反射偏光层之結合的其中之一的两相反侧。
6.根据权利要求2所述的发光显示装置,其特征在于:该触控感测结构还具有一基板及一第二触控电极层,该第一触控电极层与该第二触控电极层设置于该基板的两相反侧。
7.根据权利要求1所述的发光显示装置,其特征在于:该封装组件还包括一触控感测结构,该触控感测结构具有一第一触控电极层与一第二触控电极层,且该发光组件还具有一上电极层,该触控感测结构的第一触控电极层至少设于该线偏光层与该四分之一波板之间、设于该四分之一波板与该反射偏光层之间或设于该反射偏光层与该发光组件之间,该触控感测结构的第二触控电极层设于该上电极层处。
8.根据权利要求7所述的发光显示装置,其特征在于:该触控感测结构的第二触控电极层与该上电极层形成电性连接或为一体式结构。
9.根据权利要求7所述的发光显示装置,其特征在于:该触控感测结构还具有一绝缘层,该绝缘层设于该第二触控电极层与该上电极层之间。
10.根据权利要求5、6、9中任一权利要求所述的发光显示装置,其特征在于:该第一触控电极层具有多个沿一第一方向排列的第一电极列,该第二触控电极层具有多个沿一第二方向排列的第二电极列,该第二方向与该第一方向相互交错。
11.一种发光显示装置,其特征在于,该发光显示装置包含:
一发光组件,具有一上开口;
一封装组件,至少部分覆盖该发光组件的该上开口,并包括一增亮抗反射结构,该增亮抗反射结构具有:
一线偏光层,设于间隔该发光组件处,用以将一具有一第一线偏振方向的线偏光通过,并阻隔一具有一第二线偏振方向的线偏光通过,该第二线偏振方向与该第一线偏振方向相互垂直,
一四分之一波板,设于该线偏光层与该发光组件之间,将沿该第一线偏振方向偏振的线偏光及沿一第一圆偏振方向偏振的圆偏光相互转换,或将沿该第二线偏振方向偏振的线偏光及沿一第二圆偏振方向偏振的圆偏光相互转换,该第二圆偏振方向与该第一圆偏振方向相互反向,及
一反射偏光层,设于该四分之一波板及该发光组件之间,用以将一具有该第一圆偏振方向的圆偏光通过,并反射一具有该第二圆偏振方向的圆偏光;及
一盖板,设于该线偏光层相反于该四分之一波板的另一侧。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的