[实用新型]一种增强开关速度和开关均匀性的IGBT器件

权利要求书

1.一种增强开关速度和开关均匀性的IGBT器件，所述IGBT为矩形，所述IGBT器件包括位于器件中心位置的栅PAD区域，在所述栅PAD区域四周分别对称设有栅Finger铝引线，在两两栅Finger铝引线之间均设有发射极PAD区域，其特征在于，所述栅PAD区域通过栅Finger铝引线与栅Bus区域铝引线连接，所述栅Bus区域铝引线为连通的闭合回线，所述发射极PAD区域的至少一角通过多晶硅条和接触孔与终端保护环第一条金属场板连接。

2.如权利要求1所述的IGBT器件，其特征在于，所述栅Finger铝引线延伸到每个发射极PAD区域的四周，将发射极PAD区域分开。

3.如权利要求1所述的IGBT器件，其特征在于，所述栅Bus区域分布在发射极PAD区域的四周，包围所述发射极PAD区域；

在所述栅PAD区域和栅Finger铝引线通过接触孔与其下方的多晶硅层相连。

4.如权利要求1所述的IGBT器件，其特征在于，所述终端保护环第一条金属场板位于终端保护区的内部；所述终端保护区位于器件的边缘，在所述IGBT器件发射极PAD区域的四角处多晶硅层断开，通过多晶硅条和接触孔使所述发射极PAD区域与终端保护环第一条金属场板连接。

5.如权利要求1所述的IGBT器件，其特征在于，当IGBT器件开通或关断时，发射极PAD区域四周的栅极电压通过多晶硅层，由四周同时传输到每个发射极PAD区域内的元胞上，用于减小IGBT器件开通或关断损耗。

6.如权利要求1所述的IGBT器件，其特征在于，所述栅PAD区域和发射极PAD区域设置在IGBT器件的钝化层上开的窗口，封装时在窗口上焊接金属丝，并与管脚相连，将栅极电位和发射极电位分别引出；

所述栅Bus区域用于保证边缘元胞同时开启或关断，采用金属环将栅PAD区域的边缘元胞包围，再通过多晶硅层传输栅极电位；

栅Finger区域：用于降低栅电极材料分布电阻的影响，采用多晶硅层及金属将栅极电位引到离栅PAD区域的元胞单元处。

7.一种增强开关速度和开关均匀性的IGBT器件，其特征在于，所述IGBT器件为矩形时，包括发射极PAD区域以及在所述发射极PAD区域一角设置的栅PAD区域；栅Bus区域铝引线包围发射极PAD区域和栅PAD区域组成的矩形平面，所述栅Bus区域铝引线为连通的闭合回线，所述发射极PAD区域的至少一角通过多晶硅条和接触孔与终端保护环第一条金属场板连接；所述终端保护区位于IGBT器件的边缘。