[实用新型]反熔丝结构有效
| 申请号： | 201320717904.7 | 申请日： | 2013-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN203553153U | 公开（公告）日： | 2014-04-16 |
| 发明（设计）人： | 甘正浩 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/525 | 分类号： | H01L23/525 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 反熔丝 结构 | ||
1.一种反熔丝结构，其特征在于，包括：
第一端子、第二端子以及若干通孔连线，所述第一端子包括第一梳状结构和第二梳状结构，所述第一梳状结构和第二梳状结构相隔离，所述第二端子位于所述第一端子的后一层，所述第二端子与所述通孔连线相连，所述通孔连线位于所述第一梳状结构和第二梳状结构之间。
2.如权利要求1所述的反熔丝结构，其特征在于，所述第一梳状结构包括若干第一插指。
3.如权利要求2所述的反熔丝结构，其特征在于，所述第二梳状结构包括若干第二插指。
4.如权利要求3所述的反熔丝结构，其特征在于，所述第一插指或第二插指的间距（S2）范围是5nm～200nm。
5.如权利要求3所述的反熔丝结构，其特征在于，所述通孔连线与所述第一插指和第二插指正向一一对应。
6.如权利要求3所述的反熔丝结构，其特征在于，所述通孔连线与所述第一插指和第二插指交错对应。
7.如权利要求3所述的反熔丝结构，其特征在于，所述通孔连线与所述第一插指交错对应，与所述第二插指正向一一对应。
8.如权利要求6或7所述的反熔丝结构，其特征在于，所述通孔连线与所述第一插指交错的长度（S3）范围是0nm～100nm。
9.如权利要求5、6或7所述的反熔丝结构，其特征在于，所述通孔连线与所述第一插指或第二插指的水平距离（S1）范围是20nm～200nm。
10.如权利要求3所述的反熔丝结构，其特征在于，一部分所述通孔连线位于所述第一插指上，另一部分所述通孔连线位于所述第二插指上。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（北京）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（北京）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201320717904.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
