[实用新型]水平校准装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体制造领域，尤其涉及一种水平校准装置。

背景技术

在半导体制造工艺中，刻蚀工艺是较为重要的一个工艺。通常晶圆在刻蚀腔室内完成刻蚀工艺，所述刻蚀腔室包括上电极和下电极，两者具有一定间距，用于形成刻蚀气浆。在进行刻蚀工艺时，先将待刻蚀的晶圆放置在刻蚀腔室内的下电极上，接着，在所述刻蚀腔室内形成刻蚀气浆，由所述刻蚀气浆对所述晶圆进行刻蚀，从而达到刻蚀目的。

不同的刻蚀工艺需要上电极和下电极的间距不同，为了能够调节上电极和下电极之间的间距，通常由调节装置带动所述下电极进行垂直方向移动，从而满足不同刻蚀工艺所需的间距。

请参考图1，现有技术中刻蚀腔室包括：上电极10、下电极11和调节装置40；其中，所述上电极10接地，所述下电极11固定在所述调节装置40上，所述调节装置40能够带动所述下电极11上下移动；进行刻蚀工艺时，将所述晶圆30放置于所述下电极11的表面，并在所述晶圆30的表面形成刻蚀气浆20，所述刻蚀气浆20用于对所述晶圆30进行刻蚀。

请参考图2，随着所述调节装置40不断的上下升降，所述调节装置40和下电极11便会出现一些倾斜，致使放置在所述下电极11表面上的晶圆30也会出现倾斜，这样便会对刻蚀工艺造成一定的影响，使所述刻蚀气浆20与所述晶圆30的接触不均匀，造成刻蚀工艺出现偏差等。

现有技术中为了解决上述问题，通常是手动将调解装置40以及下电极11全部拆下，再送到专门的校准实验室进行校准，一方面需要花费大量时间和金钱，另一方面拆卸和安装也花费大量的人力和精力。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种水平校准装置，能够方便快捷的对下电极进行水平位置的校准，节省人力、精力、时间以及成本。

为了实现上述目的，本实用新型提出了一种水平校准装置，用于校准刻蚀腔室内下电极的水平位置，所述装置包括：

校准盘；

至少一个校准单元，所述校准单元设于所述校准盘上；

至少一个校准马达，所述校准马达与所述校准单元通过一信号线连接。

进一步的，所述校准盘内设有阻挡光路液体。

进一步的，所述校准单元包括有光源和传感器，所述光源设于所述校准盘的一侧壁上，所述传感器设于所述校准盘的另一侧壁上，所述传感器与所述光源处于同一水平面上，并与所述阻挡光路液体的液面保持预定间距。

进一步的，所述预定间距范围是0～0.001mm。

进一步的，所述校准单元的个数为1～10个。

进一步的，所述校准马达的个数为1～10个。

进一步的，所述信号线的个数为1～10个。

进一步的，所述校准马达设有卡孔。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果主要体现在：将校准盘放置于下电极的表面，使用校准单元检测下电极的水平位置是否良好，若存在偏差，则由所述校准单元通过信号线发送信号至校准马达，促使校准马达进行相应的升降，进而对所述下电极进行相应的调整，直至校准单元检测出下电极的水平位置良好，从而达到快速、便捷的对下电极进行校准，节省人力、精力、时间以及成本。

附图说明

图1为现有技术中刻蚀腔室的下电极处于正常位置时的结构示意图；

图2为现有技术中刻蚀腔室的下电极水平位置存在偏差时的结构示意图；

图3为本实用新型一实施例中水平校准装置的结构示意图；

图4为本实用新型一实施例中水平校准装置应用至刻蚀腔室中的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合示意图对本实用新型的水平校准装置进行更详细的描述，其中表示了本实用新型的优选实施例，应该理解本领域技术人员可以修改在此描述的本实用新型，而仍然实现本实用新型的有利效果。因此，下列描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛知道，而并不作为对本实用新型的限制。

为了清楚，不描述实际实施例的全部特征。在下列描述中，不详细描述公知的功能和结构，因为它们会使本实用新型由于不必要的细节而混乱。应当认为在任何实际实施例的开发中，必须做出大量实施细节以实现开发者的特定目标，例如按照有关系统或有关商业的限制，由一个实施例改变为另一个实施例。另外，应当认为这种开发工作可能是复杂和耗费时间的，但是对于本领域技术人员来说仅仅是常规工作。