[实用新型]采用总压控制的磷酸铁锂启动电池过放保护装置有效
申请号: | 201320719717.2 | 申请日: | 2013-11-14 |
公开(公告)号: | CN203747388U | 公开(公告)日: | 2014-07-30 |
发明(设计)人: | 沈春雷;陈利民;丁希罕;刘洋;任旭东;陈刚 | 申请(专利权)人: | 杭州万马高能量电池有限公司 |
主分类号: | H02H7/18 | 分类号: | H02H7/18 |
代理公司: | 浙江翔隆专利事务所(普通合伙) 33206 | 代理人: | 张建青 |
地址: | 310022 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 采用 控制 磷酸 启动 电池 保护装置 | ||
1.采用总压控制的磷酸铁锂启动电池过放保护装置,启动电池内设有四节磷酸铁锂电芯串联组成的电池组,保护装置包括控制板,所述的控制板上设有电池正极输入端(B+)、电池负极输入端(B-)及控制板输出端(P-),其特征在于:磷酸铁锂电池组的正极与电池正极输入端(B+)相连,磷酸铁锂电池组的负极与电池负极输入端(B-)相连;所述的控制板上设有过放控制模块,所述的过放控制模块包括第一稳压器件及与第一稳压器件相连的第一单节电芯控制芯片(U1),所述的第一稳压器件用于提高第一单节控制芯片(U1)电压控制范围。
2.根据权利要求1所述的采用总压控制的磷酸铁锂启动电池过放保护装置,其特征在于:所述的第一稳压器件为第一稳压二极管(D4),所述的第一稳压二极管(D4)的稳压范围为4~11V。
3.根据权利要求2所述的采用总压控制的磷酸铁锂启动电池过放保护装置,其特征在于:所述的过放电保护模块还包括第一三极管(Q1)、第二三极管(Q2)、第三三极管(Q3)、第七MOS管(Q7),第一单节电芯控制芯片(U1)对电池组总电压进行采样,并通过第一三极管(Q1)、第二三极管(Q2)控制第三三极管(Q3)通断,由第三三极管(Q3)控制第七MOS管(Q7)的通断,以控制控制板的输出。
4.根据权利要求3所述的采用总压控制的磷酸铁锂启动电池过放保护装置,其特征在于:所述的第一单节电芯控制芯片(U1)的电压检测端通过第六电阻(R6)、第一稳压二极管(D4)与电池正极输入端(B+)电连接;所述的第一三极管(Q1)为NPN型三极管,所述的第二三极管(Q2)、所述的第三三极管(Q3)为 PNP型三极管,第七MOS管(Q7)为N沟道MOS管;第一三极管(Q1)的基极与第一单节电芯控制芯片(U1)电连接,其集电极与第二三极管(Q2)基极电连接,其发射极与电池负极输入端(B-)电连接;所述的第二三极管(Q2)发射极与电池正极输入端(B+)电连接,其集电极与第三三极管(Q3)基极电连接;第三三极管(Q3)发射极与第七MOS管(Q7)的栅极电连接,第三三极管(Q3)集电极与电池负极输入端(B-)电连接;第七MOS管(Q7)的源极与电池负极输入端(B-)电连接,第七MOS管(Q7)的漏极与控制板输出端(P-)电连接。
5.根据权利要求4所述的采用总压控制的磷酸铁锂启动电池过放保护装置,其特征在于:第一单节电芯控制芯片(U1)通过第一电阻(R1)与第一三极管(Q1)的基极电连接;第一三极管(Q1)的基极与发射极之间设有第二十一电阻(R21)及与第二十一电阻(R21)并联的温度开关(T1),第一三极管(Q1)发射极通过第二电阻(R2)与电池负极输入端(B-)电连接;所述的第二三极管(Q2)的基极与发射极之间设有第三电阻(R3);所述的第二三极管(Q2)集电极与第三三极管(Q3)发射极之间设有串接的第六二极管(D6)、第五电阻(R5);所述的第二三极管(Q2)集电极与第三三极管(Q3)集电极之间设有第四电阻(R4);所述的第三三极管(Q3)的发射极与集电极之间设有第七稳压二极管(D7);第一单节电芯控制芯片(U1)的负极电连接端接地,第一单节电芯控制芯片(U1)的电压检测端与负极电连接端之间通过第一电容(C1)电连接。
6.根据权利要求1-5任一权利要求所述的采用总压控制的磷酸铁锂启动电池过放保护装置,其特征在于:所述的控制板上设有过充控制模块,所述的过充控制模块包括第二稳压器件及与第二稳压器件电连接的第二单节电芯控制芯片(U2),所述的第二稳压器件用于提高第二单节控制芯片(U2)电压控制范围。
7.根据权利要求6所述的采用总压控制的磷酸铁锂启动电池过放保护装置,其特征在于:所述的第二稳压器件为第二稳压二极管(D5),所述的第二稳压二极管(D5)的稳压范围为10~18V。
8.根据权利要求7所述的采用总压控制的磷酸铁锂启动电池过放保护装置,其特征在于:所述的过充控制模块还包括第六三极管(Q6)、第五三极管(Q5)、第八MOS管(Q8);所述的第二单节电芯控制芯片(U2)对电池组总电压进行采样,并通过第六三极管(Q6)控制第五三极管(Q5)通断,由第五三极管(Q5)控制第八MOS管(Q8)的通断,以控制控制板的输出。
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