[实用新型]一种提高了BVceo的双极型晶体管有效
| 申请号： | 201320723831.2 | 申请日： | 2013-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN203536442U | 公开（公告）日： | 2014-04-09 |
| 发明（设计）人： | 张复才;陈强;沈美根;多新中 | 申请（专利权）人： | 江苏博普电子科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/73 | 分类号： | H01L29/73;H01L29/36;H01L21/331 |
| 代理公司： | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人： | 董建林;汪庆朋 |
| 地址： | 214131 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 提高 bvceo 双极型 晶体管 | ||
【权利要求书】：
1.一种提高了BVceo的双极型晶体管，其特征在于，
包括高浓度掺杂的N-型硅衬底（50），所述N-型硅衬底（50）的顶部设置有N-型外延硅（52）；
所述N-型外延硅（52）表面通过离子注入工艺预反掺杂有杂质P-型元素硼；
所述N-型外延硅（52）的两侧通过沟槽、两步氧化和平坦化工艺技术形成有平坦氧化层（62）；
两个所述平坦氧化层（62）之间的N-型外延硅（52）的上表面设有本征基区（66），所述本征基区（66）的内侧设有两个非本征基区（68），两个所述非本征基区（68）之间设置有发射区（70）；所述本征基区（66）的外侧通过热过程杂质激活工艺形成的第二冶金结（64）；
所述N-型外延硅（52）的上面还淀积有介质材料（72），所述非本征基区（68）和发射区（70）处的介质材料（72）上通过光刻和刻蚀形成基极B和发射极E的接触孔，所述接触孔中设有金属连接线条（76）。
2.根据权利要求1所述的提高了BVceo的双极型晶体管，其特征在于，
所述N-型硅衬底（50）的晶向可以是<111>或者<100>。
3.根据权利要求1所述的提高了BVceo的双极型晶体管，其特征在于，
所述N-型硅衬底（50）的电阻率不大于0.003Ωcm；所述N-型外延硅（52）的电阻率为0.1Ωcm至3.5Ωcm，厚度为2微米至20微米。
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