[实用新型]气浮辊道式半导体器件热处理炉

权利要求书

1.一种气浮辊道式半导体器件热处理炉，其特征在于，在所述热处理炉中，传输半导体器件的辊道由若干条水平排列、沿自身轴线往复转动的辊轴组成，至少一部分辊轴为空心辊轴，在空心辊轴上半导体器件经过的部位沿径向方向设置有若干通气孔，在空心辊轴的至少一端通过旋转接头与进气管连接，气体通过空心辊轴上的通气孔进入到半导体器件经过的炉膛部位。

2.根据权利要求1所述的气浮辊道式半导体器件热处理炉，其特征在于，通过空心辊轴上的通气孔进入炉膛的气体，在半导体器件与空心辊轴表面之间形成一层气膜，半导体器件在气膜的作用下进行传输。

3.根据权利要求1所述的气浮辊道式半导体器件热处理炉，其特征在于，从空心辊轴上的通气孔吹出的气体的压力要能够使半导体器件瞬间离开传输辊轴的表面。

4.根据权利要求1所述的气浮辊道式半导体器件热处理炉，其特征在于：在空心辊轴上半导体器件经过的设置有若干通气孔的部位，设置有至少一个中间凹、两边凸的台阶，半导体器件在两边凸起台阶的支撑和摩擦力作用下水平移动，半导体器件与通气孔之间离开一定距离，气体无障碍地从半导体器件下面进入炉膛，在半导体器件和辊轴之间形成气膜、气体均匀地到达半导体器件周围。

5.根据权利要求1所述的气浮辊道式半导体器件热处理炉，其特征在于，在空心辊轴上沿径向方向设置的若干通气孔，与空心辊轴的轴心垂直或者向半导体器件前进方向倾斜一定的角度。

6.根据权利要求1所述的气浮辊道式半导体器件热处理炉，其特征在于，在空心辊轴上沿径向方向设置的若干通气孔，其孔径为相同或不同、其间距为均匀间距或不均匀间距。

7.根据权利要求1所述的气浮辊道式半导体器件热处理炉，其特征在于，空心辊轴的材质是石英玻璃管、石英陶瓷管、氧化铝陶瓷管或氮化硅陶瓷管。

8.根据权利要求1所述的气浮辊道式半导体器件热处理炉，其特征在于，所述的半导体器件为硅片、锗片、砷化镓片、蓝宝石片或其他可以进行PN结掺杂的材料。