[实用新型]用于光刻机曝光台的清洁装置有效

专利信息
申请号: 201320729766.4 申请日: 2013-11-18
公开(公告)号: CN203606624U 公开(公告)日: 2014-05-21
发明(设计)人: 潘敏炜;陈群琦 申请(专利权)人: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20;B08B5/02;B08B15/04
代理公司: 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 代理人: 丁纪铁
地址: 201203 上海市浦东*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 用于 光刻 曝光 清洁 装置
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及半导体制造技术领域,特别属于一种清洁光刻机曝光台的装置。

背景技术

在半导体器件的各种加工工艺中,光刻(photolithography)是其中一个重要步骤,该步骤利用曝光和显影在光刻胶层上刻画几何图形结构,然后通过刻蚀工艺将光掩模上的图形转移到衬底上。对于光刻机设备来说,曝光台是决定光刻工艺好坏的重要加工位置,如果曝光台上存在杂质或者污垢,那么会直接影响曝光的效果,因此,当硅片曝光台上沾有污垢时,需要对曝光台及时进行清洁。

目前,清洁曝光台的方式主要有两种,一种是使用厂家提供的配套清洁工具,该工具呈T字形,包括由软橡胶制成的清洁头(T形工具的横部)和与清洁头相连的杆部(T形工具的竖部),使用时将清洁头直接与曝光台接触,从而将杂质颗粒粘附在软橡胶上实现清洁,另一种是人工采用无尘布直接擦拭曝光台。

然而,曝光台通常位于光刻机的内部,操作空间狭小,并且在曝光台的周围设置有较多的精密部件,如果清洁的时候操作不当,不但不能彻底清洁曝光台,而且还可能损坏其它部件或者伤害操作人员。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题是提供一种用于光刻机曝光台的清洁装置,便于操作,不但可以有效地清洁曝光台,而且不会损坏曝光台周围的精密部件。

为解决上述技术问题,本实用新型的用于光刻机曝光台的清洁装置,包括一操作杆、与所述操作杆相连接的移动件,所述移动件靠近曝光台的底部具有一凹腔,所述凹腔通过一进气管与一氮气源或清洁干燥的空气源相连,通过一出气管与一抽真空装置相连。

其中,所述移动件具有一进气孔和一出气孔,所述进气孔的一端与凹腔相连通,另一端与进气管相连,所述出气孔的一端与凹腔相连通,另一端与出气管相连。

优选的,所述移动件的顶部具有一环扣,所述操作杆的端部连接在环扣上。

进一步地,所述进气管的材质是特氟龙。所述移动件由陶瓷材质制成。

本实用新型采用一吹一吸的基本原理,通过氮气吹力把光刻机曝光台上的杂质颗粒吹起,然后通过另一端真空吸走颗粒,不但降低了操作者在狭小空间内的操作难度,降低了精密部件的损坏几率,而且提高了清洁效率,实现了高效安全的清洁目的。

附图说明

图1是本实用新型的结构示意图;

图2是本实用新型的原理示意图.

其中附图标记说明如下:

1为操作杆;2为移动件;3为进气管;4为出气管;5为环扣;6为凹腔;7为进气孔;8为出气孔;9为曝光台。

具体实施方式

下面结合附图与具体实施方式对本实用新型作进一步详细的说明。

本实用新型提供的用于光刻机曝光台的清洁装置,如图1所示,包括一操作杆1、与所述操作杆1相连接的移动件2,如图2所示,移动件2靠近曝光台9的底部具有一凹腔6,所述凹腔6通过一进气管3与一氮气源或者清洁干燥的空气源(图中未示出)相连,通过一出气管与一抽真空装置(图中未示出)相连。

其中,移动件2具有一进气孔7和一出气孔8,所述进气孔7的一端与凹腔6相连通,另一端与进气管3相连,所述出气孔8的一端与凹腔6相连通,另一端与出气管4相连。

如图1所示,移动件2的顶部具有一环扣5,操作杆1的端部连接在环扣5上。

进一步地,进气管3的材质是特氟龙,移动件2由陶瓷材质制成。

利用该装置对曝光台进行清洁时,操作者利用操作杆1使与操作杆1相连的移动件2在曝光台9上来回移动,如图2所示,通过氮气吹力把光刻机曝光台上的杂质颗粒吹起,然后再通过另一侧的抽真空装置将杂质颗粒吸走,清洁完成后断开氮气源和抽真空装置即可。

本实用新型采用一吹一吸的基本原理,不但降低了操作者在狭小空间内的操作难度,降低了精密部件的损坏几率,而且提高了清洁效率,实现了高效安全的清洁目的。

以上通过具体实施例对本实用新型进行了详细的说明,但这些并非构成对本实用新型的限制。在不脱离本实用新型原理的情况下,本领域的技术人员可对本实用新型的移动件形状、凹腔的形状和尺寸、进气孔和出气孔的位置形状、进气源等做出许多变形和改进,这些也应视为本实用新型的保护范围。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司,未经上海华虹宏力半导体制造有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201320729766.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top