[实用新型]晶体硅太阳能电池的薄膜钝化结构有效
| 申请号： | 201320741182.9 | 申请日： | 2013-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN203562433U | 公开（公告）日： | 2014-04-23 |
| 发明（设计）人： | 盛健;张淳 | 申请（专利权）人： | 常州天合光能有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216 |
| 代理公司： | 常州市科谊专利代理事务所 32225 | 代理人： | 孙彬 |
| 地址： | 213022 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶体 太阳能电池 薄膜 钝化 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种晶体硅太阳能电池的薄膜钝化结构，其特征在于：它包括SiNx薄膜层（1）、三氧化二铝薄膜层（2）和生长在硅片衬底（5）正面或背面的P型掺杂层上的二氧化硅薄膜层（3），三氧化二铝薄膜层（2）生长在二氧化硅薄膜层（3）的外表面上，SiNx薄膜层（1）生长在三氧化二铝薄膜层（2）的外表面上。
2.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池的薄膜钝化结构，其特征在于：所述的SiNx薄膜层（1）的折射率为1.9~2.4，三氧化二铝薄膜层（2）的折射率为1.55~1.65，二氧化硅薄膜层（3）的折射率为1.4~1.5。
3.根据权利要求1或2所述的晶体硅太阳能电池的薄膜钝化结构，其特征在于：所述的SiNx薄膜层（1）的厚度为20mm~150mm。
4.根据权利要求1或2所述的晶体硅太阳能电池的薄膜钝化结构，其特征在于：所述的三氧化二铝薄膜层（2）的厚度为3nm~50nm。
5.根据权利要求1或2所述的晶体硅太阳能电池的薄膜钝化结构，其特征在于：所述的二氧化硅薄膜层（3）的厚度h为0＜h＜50nm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
