[实用新型]电子束连续熔炼去除多晶硅中氧杂质的装置有效
申请号: | 201320745518.9 | 申请日: | 2013-11-22 |
公开(公告)号: | CN203699921U | 公开(公告)日: | 2014-07-09 |
发明(设计)人: | 王登科;姜大川;安广野;郭校亮;谭毅 | 申请(专利权)人: | 青岛隆盛晶硅科技有限公司 |
主分类号: | C01B33/037 | 分类号: | C01B33/037 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 266234 山东省*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电子束 连续 熔炼 去除 多晶 硅中氧 杂质 装置 | ||
1.一种电子束连续熔炼去除多晶硅中氧杂质的装置,包括炉体,其特征在于炉体内上部与上炉盖连通安装有送料机构和电子枪,位于炉体内的送料机构的送料口下方设置有熔炼坩埚,该熔炼坩埚底部设置有翻转机构,翻转机构与下炉盖相通连,位于炉体内翻转机构一侧安置有装载坩埚。
2.根据权利要求1所述的电子束连续熔炼去除多晶硅中氧杂质的装置,其特征在于熔炼坩埚为带有凹形熔化池的水冷铜坩埚。
3.根据权利要求1所述的电子束连续熔炼去除多晶硅中氧杂质的装置,其特征在于装载坩埚为水冷铜坩埚。
4.根据权利要求1所述的电子束连续熔炼去除多晶硅中氧杂质的装置,其特征在于装载坩埚为铸铁模具。
5.根据权利要求4所述的电子束连续熔炼去除多晶硅中氧杂质的装置,其特征在于铸铁模具为分体式结构,四周与底部通过连接件连接而成。
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