[实用新型]一种半导体发光二极管芯片

权利要求书

1.一种发光二极管芯片，其特征在于包括在长方形基板上依次设置的N型半导体层、发光复合层和P型半导体层，在P型半导体层的中部经刻蚀裸露出的N型半导体层；长方形基板上的两侧的P型半导体层上分别设置P焊盘和N焊盘；在P焊盘和N焊盘区域外的P型半导体层上设置电流阻挡层，在电流阻挡层上设置电流扩展层；

在与P焊盘和N焊盘对应的P型半导体层上分别设置图形化电流扩展层，在图形化电流扩展层上分别设置电绝缘层；在P焊盘的背部、N焊盘的背部分别设置反射器；

在所述电流扩展层上设置至少两组图形化的P扩展电极，各P扩展电极分别与P焊盘电连接；

N焊盘电连接有N扩展电极，所述N扩展电极布置且接触在裸露出的N型半导体层上，P扩展电极接触在电流扩展层上。

2.根据权利要求1所述发光二极管芯片，其特征在于所述图形化电流扩展层为表面呈网点状圆孔的电流扩展层，所述圆孔的直径小于10um。

3.根据权利要求1所述发光二极管芯片，其特征在于所述长方形基板的窄边小于300um。

4.根据权利要求1所述发光二极管芯片，其特征在于所述反射器为介质层，或铝层，或铂层。

5.根据权利要求1所述发光二极管芯片，其特征在于所述电绝缘层为铝的氮化物，或铝的氧化物，或硅的氧化物，或硅的氮化物层。