[实用新型]一种多层结构透明导电薄膜有效
申请号: | 201320755098.2 | 申请日: | 2013-11-25 |
公开(公告)号: | CN203562434U | 公开(公告)日: | 2014-04-23 |
发明(设计)人: | 马鸣晓;唐国彬 | 申请(专利权)人: | 四川融鑫信息科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01B5/14 |
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地址: | 610000 四川省成都*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 多层 结构 透明 导电 薄膜 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种多层结构透明导电薄膜,具体涉及一种用于太阳能电池的多层结构透明导电薄膜。
背景技术
透明导电薄膜广泛应用于平板显示、太阳能电池、电磁屏蔽、节能建筑玻璃、光电子器件等诸多领域,尤其是随着科学技术的进步和人们生活水平的提高,太阳能电池已经逐渐地走进了人们的生活,太阳能电池的广泛使用导致了对透明导电薄膜的更严格的要求。目前太阳能电池常用的透明导电薄膜是金属基透明导电薄膜,其具有更低的电阻率、沉积温度接近室温、较低的成本、较好的机械加工性和设计上的灵活性等优点,所以近年来关于金属基透明导电薄膜的研究逐渐增多。
但是,随着金属基透明导电薄膜的研究,逐渐出现了一个新的技术问题,就是如果在基体表面直接镀制导电膜系,由于材料热膨胀性系数的差异以及晶格匹配问题,会导致导电膜开裂,导致透明导电薄膜整体出现出现缺陷或者导致薄膜失效;同时,现有的导电膜通常裸露在外,使用一段时间后会导致导电膜磨损或破坏,严重影响了透明导电薄膜的整体性能。因此,设计一种用于太阳能电池的多层结构透明导电薄膜是必要的。
为此,本实用新型的设计者有鉴于上述技术缺陷,通过潜心研究和设计,综合长期多年从事相关产业的经验和成果,研究设计出一种用于太阳能电池的多层结构透明导电薄膜,以克服上述技术缺陷。
实用新型内容
本实用新型要解决的技术问题为:设计一种用于太阳能电池的多层结构透明导电薄膜,以解决现有技术中的多层结构透明导电薄膜出现开裂、缺陷或磨损的技术缺陷。
为了解决上述技术问题,本实用新型采用了如下的技术方案:
一种多层结构透明导电薄膜,用于太阳能电池,其特征在于:该透明导电薄膜从下到上依次包括底层、粘接层、中间层和保护层;所述的粘接层为聚氨酯层,厚度为20~30nm;所述的中间层为依次叠加的Bi2O3层,Au层,Bi2O3层,其中Bi2O3层厚度为30~50nm,Au层厚度为20~30nm;所述的保护层为SiO2薄膜,厚度为20~30nm。
其中,所述的底层为有机玻璃PMMA层,厚度为20~50μm。
其中,所述的粘接层厚度优选为25nm,Bi2O3层厚度优选为40nm,Au层厚度为25nm,保护层厚度优选为25nm,底层厚度优选为35μm。
通过上述技术方案可知,本实用新型的多层结构透明导电薄膜具有如下技术效果:
1、聚氨酯粘接层极大地提高了底层和中间层的结合强度,避免了多层结构透明导电薄膜开裂、整体出现缺陷而导致薄膜失效。
2、在多层结构透明导电薄膜的最外层设置保护层,保护多层结构透明导电薄膜,防止导电膜磨损或破坏。
本实用新型的详细内容可通过下述的详细说明及说明书附图而得到。
附图说明
图1为本实用新型的多层结构透明导电薄膜的结构示意图。
图2为本实用新型的中间层的结构示意图
图中:1为底层、2为粘接层、3为中间层、4为保护层、5为Bi2O3层、6为Au层、7为Bi2O3层。
具体实施方式
下面结合说明书附图详细说明本实用新型的多层结构透明导电薄膜的具体结构。
参见图1,显示了本实用新型的多层结构透明导电薄膜。
本实用新型的一种多层结构透明导电薄膜,用于太阳能电池,该透明导电薄膜从下到上依次包括底层1、粘接层2、中间层3和保护层4;粘接层1为聚氨酯层,厚度为25nm;中间层2为依次叠加的Bi2O3层5,Au层6,Bi2O3层7,其中Bi2O3层厚度为40nm,Au层厚度为25nm;保护层4为SiO2薄膜,厚度为25nm;底层1为有机玻璃PMMA层,厚度为35μm。
通过上述结构可知,本实用新型的多层结构透明导电薄膜具有如下优点:
1、聚氨酯粘接层极大地提高了底层和中间层的结合强度,避免了多层结构透明导电薄膜开裂、整体出现缺陷而导致薄膜失效。
2、在多层结构透明导电薄膜的最外层设置保护层,保护多层结构透明导电薄膜,防止导电膜磨损或破坏。
显而易见的是,以上的描述和记载仅仅是举例而不是为了限制本实用新型公开的内容、应用或使用。虽然已经在实施例中描述过并且根据附图描述了实施例,但本实用新型不限制由附图示例和在实施例中描述的作为目前认为的最佳模式以实施本实用新型的教导的特定例子,本实用新型的范围将包括落入前面的说明书和所附的权利要求的任何实施例。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的