[实用新型]一种铌酸锂波导芯片有效
| 申请号： | 201320755865.X | 申请日： | 2013-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN203658612U | 公开（公告）日： | 2014-06-18 |
| 发明（设计）人： | 朱忻;王子昊;沈雷;其他发明人请求不公开姓名 | 申请（专利权）人： | 苏州矩阵光电有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/122 | 分类号： | G02B6/122;G02F1/035 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 张建纲 |
| 地址： | 215614 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 铌酸锂 波导 芯片 | ||
【权利要求书】：
1.一种铌酸锂波导芯片，其特征在于，包括铌酸锂基底，以及依次设置于所述铌酸锂基底上的非晶硅层、二氧化硅层和金属电极；其中，所述非晶硅层的厚度小于所述铌酸锂基底的厚度，所述铌酸锂基底和所述非晶硅层共同构成波导；所述二氧化硅层上成型有电极填充区域，所述金属电极设置于所述电极填充区域内。
2.根据权利要求1所述的铌酸锂波导芯片，其特征在于，所述非晶硅层厚度为70nm-200nm。
3.根据权利要求2所述的铌酸锂波导芯片，其特征在于，所述非晶硅层厚度为70nm-150nm。
4.根据权利要求2或3所述的铌酸锂波导芯片，其特征在于，所述二氧化硅层厚度为1um-2um。
5.根据权利要求4所述的铌酸锂波导芯片，其特征在于，所述非晶硅层为氢化非晶硅层。
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